Microchip Technology présente son simulateur de puissance SiC MPLAB®, qui évalue rapidement les dispositifs et modules de puissance SiC de Microchip dans diverses topologies avant de passer de la conception au matériel, afin d'aider les ingénieurs en conception de puissance à adopter les solutions de puissance SiC avec facilité, rapidité et confiance.
Le simulateur de puissance MPLAB SiC de Microchip est un environnement logiciel basé sur PLECS, conçu en collaboration avec Plexim. Cet outil en ligne gratuit ne nécessite aucune licence de simulation. MPLAB SiC accélère la conception de diverses topologies de puissance à base de SiC. Les clients peuvent ainsi comparer et évaluer en toute confiance les solutions SiC dès la phase de conception.
« Les clients intéressés par la technologie SiC peuvent désormais utiliser le simulateur de puissance SiC MPLAB, accessible en ligne, pour comparer et sélectionner le produit SiC de Microchip le mieux adapté à leur conception », a déclaré Clayton Pillion, vice-président de l'unité commerciale carbure de silicium de Microchip. « Microchip, qui investit dans le carbure de silicium depuis plus de vingt ans, propose à ses clients des solutions de puissance polyvalentes au sein de sa gamme SiC, facilement intégrables à d'autres composants Microchip. »
Cet outil permet d'accélérer la mise sur le marché grâce à une évaluation complète du SiC qui fournit non seulement des données précieuses, mais réduit également le temps de sélection des composants. Un concepteur en électronique de puissance qui doit choisir entre un MOSFET SiC de 25 mΩ et un autre de 40 mΩ pour un convertisseur actif triphasé peut obtenir immédiatement des résultats de simulation, tels que la dissipation de puissance moyenne et les températures de jonction maximales des composants.
MPLAB SiC Power Simulator est un outil de conception de premier ordre pour les fabricants OEM qui conçoivent des systèmes d'alimentation pour l'électromobilité, le développement durable et les applications industrielles telles que les véhicules électriques, les systèmes de charge embarqués et externes, les alimentations électriques et les systèmes de stockage de batteries.
La gamme de composants SiC de Microchip comprend les meilleurs modules de puissance du marché, avec une inductance parasite minimale (< 2,9 nH), ainsi que les MOSFET et diodes discrets 3,3 kV les plus performants, capables de supporter des courants de fuite élevés. Elle inclut également des composants discrets non encapsulés, des modules 700 V, 1 200 V et 1 700 V, et des pilotes de grille configurables AgileSwitch®.
Ces dispositifs en carbure de silicium (SiC) se distinguent par leur robustesse et leurs performances, offrant une durée de vie de l'oxydation de la grille supérieure à 100 ans et des diodes structurelles sans dégradation. La technologie SiC offre des niveaux d'efficacité système, de densité de puissance et de stabilité thermique supérieurs à ceux des IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) en silicium pour les applications haute puissance.
