Les nouveaux produits de la série CMZBxxA présentent une structure plate et sont conçus comme successeurs des produits de la série CMZBxx à structure en plateau, dont il a été annoncé qu'ils atteignaient la fin de leur durée de vie utile (EOL).
La structure plate innovante permet un faible courant inverse et une grande fiabilité, la jonction PN étant protégée par un film d'oxyde. De plus, des ajustements précis du processus de fabrication garantissent une variation minimale de la tension Zener entre les dispositifs.
Ces nouveaux produits offrent une protection contre les surtensions transitoires et les surtensions de longue durée, généralement difficiles à gérer pour les diodes de protection ESD. Sur les lignes d'alimentation des équipements, des surtensions de commutation avec des impulsions larges, durant jusqu'à quelques millisecondes, peuvent survenir lors de la commutation du circuit. Les nouvelles diodes Zener protègent les dispositifs semi-conducteurs contre ces surtensions et les surtensions quasi-continues.
Comparativement à la série CMZBxx, les nouveaux produits améliorent la plage de spécification de la tension Zener, qui passe de ±10 % (typique) à ±5 % (typique), et le courant inverse maximal (IR), qui passe de 10 μA à 0,5 μA. Ces améliorations contribuent à simplifier la conception des équipements et à réduire la consommation d'énergie globale. De plus, les nouveaux dispositifs CMZBxxA utilisant le même boîtier M-FLAT (2,4 mm × 4,7 mm × 0,98 mm) que la série CMZBxx existante, la mise à niveau ne nécessite aucune modification du circuit imprimé.
Les 15 produits de la gamme couvrent une plage de tension Zener (Vz) de 12 V (typique) à 51 V (typique), permettant l'utilisation d'une large gamme de tensions couramment utilisées.
Ces nouveaux produits contribuent à améliorer la fiabilité des équipements en assurant une protection contre les surtensions sur les lignes électriques.
