L'architecture 800 VDC représente un système d'alimentation électrique hautement efficace et évolutif, destiné à transformer la conception des centres de données en permettant la création d'usines d'IA à l'échelle du gigawatt. ROHM propose une large gamme de composants de puissance, notamment en silicium (Si), en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN), et figure parmi les rares entreprises au monde possédant l'expertise technologique nécessaire au développement de circuits intégrés analogiques (circuits intégrés de commande et de puissance) capables d'optimiser les performances des dispositifs.
Le livre blanc présente les solutions d'alimentation complètes de ROHM, couvrant une large gamme de dispositifs de puissance et de technologies de circuits intégrés analogiques, appuyées par des simulations de conception thermique, des stratégies de conception au niveau de la carte et des exemples de mise en œuvre concrets.
Points clés du rapport technique :
• Consommation électrique accrue des racks : La demande en énergie par rack dans les datacenters d’IA augmente rapidement, poussant les systèmes d’alimentation CC 48 V/12 V conventionnels à leurs limites.
• Passage au 800 V CC : La transition vers une architecture 800 V CC améliore considérablement l’efficacité, la densité de puissance et la durabilité des datacenters.
• Conversion de puissance repensée : Dans le système 800 V CC, la conversion CA/CC (alimentation), traditionnellement effectuée dans les racks serveurs, est déplacée vers un rack d’alimentation dédié.
• Rôle essentiel du SiC et du GaN : Les dispositifs à large bande sont essentiels pour obtenir des performances optimales. En déplaçant la conversion CA/CC hors du rack informatique, les configurations à plus haute densité au sein de ce dernier peuvent mieux prendre en charge l’intégration des GPU.
• Topologies de conversion optimisées : Chaque étape de conversion, du CA au 800 V CC dans le rack d’alimentation et du 800 V CC aux tensions inférieures dans le rack informatique, requiert des solutions spécialisées. Les dispositifs SiC et GaN de ROHM contribuent à une efficacité accrue et à un bruit réduit, tout en miniaturisant les composants périphériques, ce qui augmente considérablement la densité de puissance.
• Technologies innovantes : la série EcoSiC™ de ROHM propose des modules de refroidissement performants avec une résistance extrêmement faible, idéale pour les serveurs d’IA. La série EcoGaN™, quant à elle, associe les performances du GaN à des technologies de circuits intégrés analogiques propriétaires, telles que Nano Pulse Control™. Il en résulte une commande de grille stable, un contrôle ultrarapide et un fonctionnement à haute fréquence, des caractéristiques qui ont rencontré un vif succès sur le marché.
La transition vers une infrastructure 800 V CC est le fruit d'un effort collectif de l'industrie. ROHM collabore étroitement avec NVIDIA, les opérateurs de centres de données et les concepteurs de systèmes d'alimentation pour fournir les technologies de semi-conducteurs haut débit essentielles à l'infrastructure d'IA de nouvelle génération. Grâce à des collaborations stratégiques, notamment un partenariat avec Delta Electronics en 2022, ROHM continue de stimuler l'innovation dans les dispositifs de puissance SiC et GaN, permettant ainsi de proposer des solutions de centres de données performantes, durables et écoénergétiques.
