En particular, el uso creciente de la IA generativa y las GPU de alto rendimiento ha creado la necesidad de mejorar simultáneamente la eficiencia energética y soportar corrientes más altas. Para hacer frente a estos retos, la industria está pasando de los sistemas de 12 V a arquitecturas de alimentación de 48 V más eficientes. Además, en los circuitos de intercambio en caliente utilizados para sustituir módulos de forma segura mientras los servidores permanecen encendidos, se requieren MOSFET que ofrezcan tanto un amplio SOA (área de funcionamiento seguro) como una baja resistencia en estado ON para proteger contra corrientes de irrupción y sobrecargas.
El RY7P250BM ofrece estas características críticas en un paquete compacto de tamaño 8080, lo que ayuda a reducir la pérdida de potencia y los requisitos de refrigeración en los centros de datos, al tiempo que mejora la fiabilidad general del servidor y la eficiencia energética. A medida que crece la demanda de MOSFET de tamaño 8080, este nuevo producto ofrece un sustituto directo para los diseños existentes. Cabe destacar que el RY7P250BM alcanza una amplia SOA (VDS=48 V, Pw=1 ms/10 ms), ideal para operaciones de intercambio en caliente. La pérdida de potencia y la generación de calor también se minimizan con una resistencia ON líder en el sector de 1,86 mΩ (VGS=10 V, ID=50 A, Tj=25 °C), aproximadamente un 18 % inferior a los 2,28 mΩ típicos de los MOSFET de 100 V con SOA amplio existentes del mismo tamaño.
La tolerancia SOA amplia es esencial en circuitos de intercambio en caliente, especialmente en servidores de IA que experimentan grandes corrientes de irrupción. El RY7P250BM satisface esta demanda, alcanzando 16 A a 10 ms y 50 A a 1 ms, lo que permite soportar condiciones de alta carga que los MOSFET convencionales tienen dificultades para manejar.
El nuevo producto de ROHM también ha sido certificado como componente recomendado por un proveedor líder mundial de plataformas en la nube, donde se espera que se adopte ampliamente en los servidores de IA de próxima generación. Especialmente en aplicaciones de servidores, donde la fiabilidad y la eficiencia energética son fundamentales, la combinación de un SOA amplio y un RDS(on) bajo ha sido muy valorada para la infraestructura en la nube.
En el futuro, ROHM seguirá ampliando su gama de soluciones de alimentación compatibles con 48 V para servidores y equipos industriales, contribuyendo al desarrollo de una infraestructura TIC sostenible y a un mayor ahorro energético gracias a productos de alta eficiencia y fiabilidad.
Especificaciones clave
Ejemplos de aplicación
- Sistemas de servidores de IA de 48 V y circuitos de intercambio en caliente de fuentes de alimentación en centros de datos
- Sistemas de alimentación de equipos industriales de 48 V (por ejemplo, carretillas elevadoras, herramientas eléctricas, robots, motores de ventiladores)
- Equipos industriales alimentados por baterías, como los AGV (vehículos guiados automáticamente)
- Sistemas de alimentación ininterrumpida y de emergencia (unidades de respaldo de batería)
Información de venta en línea
Fecha de lanzamiento: mayo de 2025
Distribuidores en línea: DigiKey™, Mouser™ y Farnell™
Los productos se ofrecerán en otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles.
Número de pieza aplicable: RY7P250BM
Marca EcoMOS™
EcoMOS™ es la marca de MOSFET de silicio de ROHM diseñados para aplicaciones de eficiencia energética en el sector de los dispositivos de potencia. Ampliamente utilizados en aplicaciones tales como electrodomésticos, equipos industriales y sistemas de automoción, EcoMOS™ ofrece una amplia gama que permite seleccionar productos en función de parámetros clave, como el rendimiento en cuanto a ruido y las características de conmutación, para satisfacer requisitos específicos.
*Estudio de ROHM del 1 de julio de 2025 sobre los dispositivos de potencia de 100 V y tamaño 8080 existentes.
