Este logro sigue a más de un año de diseño enfocado y optimización de procesos en la plataforma Process Design Kit (PDK) de OpenLight, en colaboración con Tower Semiconductor. Como resultado, OpenLight ha avanzado significativamente en su tecnología EAM de 448G, demostrando un ancho de banda diferencial de 3 dB cercano a 100 GHz y una relación de extinción (ER) superior a 3,5 dB a 2,0 voltios diferenciales. Estos resultados permiten un rendimiento robusto a tasas de datos de terabit mientras se mantiene la eficiencia energética y la facilidad de fabricación. Esta solución PIC altamente integrada es ideal no solo para aplicaciones de módulos y transceptores, sino también para la emergente óptica co-empaquetada (CPO) y óptica cercana al empaquetado (NPO), donde la eficiencia energética, el desempeño térmico y la simplicidad de empaquetado son críticos.
Los PIC DR8 de 3,2T de OpenLight, habilitados por su tecnología EAM 448G de alto ancho de banda y bajo voltaje de activación, eliminan la necesidad de fuentes láser de onda continua (CW) acopladas externamente y simplifican significativamente los requisitos de empaquetado. Al lograr aproximadamente un 90 % de eficiencia de acoplamiento entre los elementos activos y la guía de onda de silicio, junto con un bajo voltaje de activación de 2 V de los EAM de InP, OpenLight ofrece una solución extremadamente eficiente en consumo energético. En operación completa de 3,2T, la disipación de energía del PIC es inferior a 2 W a 80 °C, lo que corresponde a aproximadamente 0,63 pJ/bit, representando una mejora sustancial en eficiencia térmica frente a diseños de generaciones anteriores.
Basándose en esta plataforma, OpenLight presenta el PIC DR8 de 3,2T como una extensión de la misma arquitectura utilizada para su PIC DR8 de 1,6T, lo que permite un enfoque de diseño consistente y escalable a través de generaciones de velocidad de datos y permite a los clientes aprovechar una plataforma común para implementaciones rápidas y sin problemas desde 1,6T hasta 3,2T. Todos los componentes activos en la plataforma PH18DA, incluidos los utilizados en el PIC DR8 de 3,2T, han sido calificados de manera independiente según el estándar Telcordia GR‑468, ofreciendo garantía adicional para su despliegue en centros de datos de alta confiabilidad.
“Estamos muy emocionados de ofrecer a nuestros clientes una solución de 3,2T gracias a nuestra sólida colaboración con OpenLight”, dijo el Dr. Ed Preisler, Vicepresidente y Gerente General de la Unidad de Negocios RF en Tower Semiconductor. “De cara al futuro, vemos un gran potencial para que nuestra tecnología PH18DA expanda nuestro mercado mediante la integración de láseres, EAMs y otros componentes InP dentro de nuestra plataforma de fotónica de silicio.”
“El PIC DR8 de 3,2T con EAMs de 448G ofrece claros beneficios en eficiencia energética, costos y tiempo de producción”, afirmó el Dr. Adam Carter, CEO de OpenLight. “El rendimiento superior de nuestros EAM de 448G permite un camino escalable directo para que nuestros clientes pasen de 1,6T a 3,2T a 400G por carril y es ideal no solo para aplicaciones de módulos y transceptores DR8 y FR4, sino también para las emergentes CPO y NPO.”
Estas mejoras de plataforma también han permitido el progreso continuo del PIC DR8 de 1,6T de OpenLight, con dispositivos EAM de 224G ahora en muestreo beta ofreciendo variantes LRO y LPO. OpenLight ha recibido pedidos de fabricantes importantes de transceptores para apoyar construcciones y programas de calificación, reflejando la creciente adopción por parte de los clientes a medida que los diseños avanzan hacia la producción.
Las muestras alfa de la plataforma del PIC DR8 de 3,2T están disponibles hoy, con obleas disponibles de inmediato y una placa de evaluación con modulador 448G y driver integrados mediante flip-chip se espera para finales de marzo de 2026. Se espera que las muestras beta del PIC DR8 de 3,2T para calificación de módulos y transceptores estén disponibles en el cuarto trimestre de 2026.
