Al igual que los productos existentes de la serie TL1L4, [¹] la tecnología GaN-on-Si se ha utilizado para crear los LED optimizados tanto su sálida lumínica como para la eficiencia energética. Sin embargo, el nuevo tipo 4A5B mejora los productos existentes, proporcionando un flujo luminoso de 140lm (min.) [²], en comparación con 130LM (min.) [²]. Los nuevos productos permiten satisfacer las demandas del mercado para mejorar la eficacia de iluminación al lograr eficacias de más de 110lm / W [³]. Los LEDs también pueden contribuir a la reducción de la energía consumida por la iluminación LED.
Las medidas de 3,5 mm x 3,5 mm, con una lente superior, los nuevos LEDs ofrecen diferentes niveles de temperatura de color correlacionada (CCT), el TL1L4-DW0 proporciona 6500K, el TL1L4-nt0 proporciona 5700K, el TL1L4-NW0 5000K y el TL1L4 -WH0 4000K. Todos ofrecen un índice de rendimiento de color de RA70 minimo y una tensión directa típica de 2,8 V.
Notas:
[1] Tecnología para producir obleas de nitruro de galio (GaN) en silicio (Si).
[2] Condiciones de prueba: IF = 350mA, Tj = 85 ° C
[3] En condiciones de 90% de eficiencia de conductor, eficiencia óptica del 90%, Tj = 85 ° C

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