Semicondutores
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- Categoria: Outros semicondutores
A Mouser disponibiliza agora os MOSFET de potência OptiMOS™ 6 de 150 V da Infineon Technologies. Com baixas perdas de comutação, a família de 150 V oferece eficiência, densidade de potência e fiabilidade excecionais para fontes de alimentação de servidores (PSUs), otimizadores solares, carregadores USB de alta potência e infraestruturas de telecomunicações.
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- Categoria: Semicondutores
A Nexperia anunciou a adição de dois díodos Schottky de carboneto de silício (SiC) de 1200 V e 20 A ao seu portfólio de componentes eletrónicos de potência em constante expansão. Os modelos PSC20120J e PSC20120L foram concebidos para satisfazer a procura de retificadores de muito baixa perda de potência, que possibilitam a conversão de energia de elevada eficiência em aplicações industriais.
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- Categoria: Design
Dentro da estrutura dos seis níveis de automatização estabelecidos pela SAE (Society of Automotive Engineers), a maioria dos fabricantes de veículos implementa atualmente capacidades de automatização parcial da condução de Nível 1 (discreto) e Nível 2 (combinado). Os fabricantes de todo o mundo estão a trabalhar na transição para o Nível 3 ou mesmo para o Nível 4 (automatização condicional de condução), um avanço significativo.
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- Categoria: Outros semicondutores
Os IGBT têm sido um pilar na indústria, combinando as vantagens da alta potência com mecanismos de acionamento simples. A nova tecnologia IGBT7 destaca-se claramente pelas suas características, tais como menor tensão direta, maiores classificações de corrente, capacidade de sobrecarga de 175 °C, controlo dv/dt melhorado e roda livre otimizada. Quando combinada com um encapsulamento inovador de baixa indutância, a tecnologia IGBT7 oferece facilidade de utilização, maior robustez, maiores densidades de potência e maior eficiência, tudo isto reduzindo os custos do sistema.
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- Categoria: Outros semicondutores
A ROHM anunciou o lançamento de novos modelos SPICE de nível 3 (L3) que oferecem uma convergência significativamente melhorada e um desempenho de simulação mais rápido.
Uma vez que as perdas nos semicondutores de potência têm um impacto significativo na eficiência global do sistema, a precisão da simulação durante a fase de projeto é crucial. Os modelos SPICE de Nível 1 (L1) anteriores da ROHM para MOSFETs de SiC foram ao encontro desta necessidade, reproduzindo com precisão as principais características do dispositivo.
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- Categoria: Microcontroladores
A Renesas Electronics Corporation apresentou o grupo de microcontroladores (MCUs) RA2T1, baseado no processador Arm® Cortex®-M23 e otimizado para sistemas de controlo de motores. Os dispositivos RA2T1 são especificamente concebidos para aplicações com um único motor, tais como ventoinhas, ferramentas elétricas, aspiradores, frigoríficos, impressoras, secadores de cabelo e muitos outros.
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- Categoria: Design
O Microchip MTCH2120 inaugura uma família inovadora de dispositivos tácteis prontos a utilizar, baseados em I2C, que simplifica o trabalho dos engenheiros que concebem aplicações tácteis flexíveis e de alto desempenho sem a necessidade de conhecimentos especializados em engenharia de software. O MTCH2120 oferece acesso a um ecossistema de design unificado, facilitando transições perfeitas entre outras soluções prontas a usar ou mesmo baseadas em microcontroladores, tudo isto sem a complexidade da programação.
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- Categoria: Microcontroladores
A Mecter SL tem o prazer de anunciar o lançamento, pela Holtek, empresa por si representada, do novo HT32L62141, um microcontrolador (MCU) de 32 bits concebido para aplicações de detecção de fumo que exijam elevada fiabilidade e longa duração da bateria. Este dispositivo incorpora um núcleo Arm® Cortex®-M0+, escolhido pelo seu equilíbrio entre desempenho e consumo de energia.
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- Categoria: Microcontroladores
A Mecter SL anuncia o lançamento, através da sua empresa representada, a GigaDevice, da nova série GD32C231 de microcontroladores (MCUs) de nível básico, expandindo a sua linha de produtos baseada no núcleo Arm® Cortex®-M23. A GigaDevice posiciona a série GD32C231 como uma solução de "alto desempenho de nível básico".
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Renesas Electronics Corporation apresentou três novos FETs GaN de alta tensão de 650 V para centros de dados de IA e sistemas de alimentação de servidores, incluindo a nova arquitetura HVDC de 800 V, carregamento de mobilidade elétrica, dispositivos de backup de bateria UPS, armazenamento de energia em baterias e inversores solares. Concebidos para aplicações de vários quilowatts, estes dispositivos de quarta geração plus (Gen IV Plus) combinam a tecnologia GaN de alta eficiência com uma entrada de controlo de porta compatível com o silício, reduzindo a perda de potência de comutação e mantendo a simplicidade operacional dos FET de silício.
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- Categoria: Microcontroladores
A Renesas Electronics Corporation apresentou o cluster de microcontroladores (MCUs) RA8P1, concebido para aplicações de inteligência artificial (IA) e machine learning (ML), bem como para análises em tempo real. Os novos MCU estabelecem um novo padrão de desempenho ao combinar os núcleos de CPU Arm® Cortex®-M85 de 1 GHz e Cortex-M33 de 250 MHz com a unidade de processamento neural (NPU) Arm Ethos™-U55. Esta combinação oferece o mais alto desempenho de CPU, ultrapassando os 7300 CoreMarks, e um desempenho de IA de 256 GOPS a 500 MHz.
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- Categoria: Outros semicondutores
A ROHM lançou um MOSFET de potência de 100 V, o RY7P250BM, otimizado para circuitos hot-swappable em sistemas de alimentação de 48 V utilizados em servidores de IA e fontes de alimentação industriais que requerem proteção da bateria. Com o rápido avanço da tecnologia de IA, os centros de dados enfrentam exigências de processamento sem precedentes e o consumo de energia dos servidores continua a aumentar ano após ano.
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