As perdas de condução reduzidas beneficiam os variadores de motores em empilhadores elétricos e veículos elétricos ligeiros (LEVs). Estes MOSFET oferecem uma redução de até 41% em RDS(on), menos 20% de FOMg e menos 17% de FOMgd em comparação com a geração anterior, OptiMOS 5. Um díodo de corpo mais rápido e suave reduz a carga de recuperação inversa (Qrr) até 59% e minimiza a sobretensão e a oscilação.
Os MOSFET apresentam também uma elevada resistência à avalanche e uma temperatura máxima de junção de +175 °C, garantindo um funcionamento robusto e estável em ambientes exigentes. Com uma vasta gama de encapsulamentos, os MOSFETs satisfazem os exigentes requisitos das aplicações de comutação de alta e baixa frequência. Os dispositivos são concebidos para satisfazer as necessidades de acionamentos e aplicações de fontes de alimentação comutada (SMPS). São oferecidos em encapsulamentos D2PAK de 3 pinos, D2PAK de 7 pinos, TO-220, TOLL, TOLT (para melhor dissipação de calor) e SuperSO8 para maior flexibilidade de design. Os MOSFET OptiMOS 6 de 150 V cumprem a norma de Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) 1, são isentos de halogéneo e estão em conformidade com a RoHS.
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- Categoria: Outros semicondutores
Infineon Technologies 150V OptiMOS 6 Power MOSFET
A Mouser disponibiliza agora os MOSFET de potência OptiMOS™ 6 de 150 V da Infineon Technologies. Com baixas perdas de comutação, a família de 150 V oferece eficiência, densidade de potência e fiabilidade excecionais para fontes de alimentação de servidores (PSUs), otimizadores solares, carregadores USB de alta potência e infraestruturas de telecomunicações.
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