Semicondutores
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Melexis lançou o sensor de posição Triaxis MLX90377, com um ou dois pads (totalmente redundantes), para aplicações industriais e automóveis, juntamente com uma nova embalagem sem placa de circuito impresso para sensores de posição.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Power Integrations anunciou a família InnoSwitch™4-CZ de circuitos integrados de comutação de tensão zero (ZVS) de alta frequência. Os dispositivos InnoSwitch4-CZ incorporam um robusto interruptor primário de 750 V que utiliza a tecnologia PowiGaN™ da Power Integrations e um inovador controlador flyback de alta frequência com clamp ativo, possibilitando uma nova classe de carregadores ultracompactos adequados para telemóveis, tablets e computadores portáteis.
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- Categoria: Microcontroladores
A Renesas Electronics Corporation anunciou a expansão da sua série de microprocessadores (MPUs) RZ/V com os novos MPUs RZ/V2L, concebidos para aplicações básicas de IA. Como parte da série RZ/V, os novos MPU incorporam o acelerador de IA exclusivo da Renesas, o DRP-AI (Dinamicamente Reconfigurável Processer), para tornar a IA incorporada mais fácil e eficiente em termos energéticos.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Allegro MicroSystems, Inc. anunciou o lançamento do sensor A31315, o mais recente membro da família 3DMAG™ de circuitos integrados para sensores de posição magnética rotativos e lineares, destinados a aplicações industriais e automóveis. Os sensores 3DMAG combinam as comprovadas tecnologias de efeito Hall planar e vertical da Allegro para medir as componentes do campo magnético ao longo de três eixos (X, Y, Z), possibilitando capacidades de deteção 3D reais com uma ampla gama dinâmica magnética sem saturação.
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- Categoria: Circuitos Integrados
O surgimento da Internet das Coisas (IoT), que aproveita a computação de alto desempenho na nuvem e na edge, levou a um aumento significativo dos dados consumidos pelas aplicações que utilizamos para monitorizar tudo, desde a nossa mobilidade e bem-estar pessoal até às casas e escritórios que ocupamos. Graças a estes dados, a sociedade está a tornar-se mais inteligente.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Power Integrations lançou a sua família InnoSwitch3™-AQ de circuitos integrados flyback para o setor automóvel, disponíveis com uma classificação de 900 V, proporcionando uma maior margem de tensão para inversores de veículos elétricos, gestão de baterias e aplicações de climatização de 400 V e 800 V. A família InnoSwitch3-AQ combina controladores primários e secundários, bem como circuitos de feedback de segurança, num único circuito integrado.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Nexperia expandiu hoje o seu portefólio de retificadores Schottky de vala com dispositivos até 100 V e 20 A. Os novos componentes apresentam um excelente desempenho de comutação e uma eficiência térmica líder de mercado. Estão disponíveis em encapsulamentos CFP (Clip Bond FlatPower) da Nexperia, que são significativamente mais compactos do que os componentes SMA/SMB/SMC.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A ROHM desenvolveu a série GMR320 de resistências shunt com uma potência nominal de 10 W. A série GMR320 é o produto com a maior potência nominal da gama GMR de alta potência e baixa impedância da ROHM, concebida para aplicações de alta potência nos setores automóvel, de equipamentos industriais e de eletrodomésticos.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A ROHM desenvolveu quatro novos módulos de potência inteligentes (IPMs) IGBT de 600 V da série BM6437x, que oferecem características de baixo ruído e baixas perdas, as melhores da sua classe, sendo ideais para a conversão de energia em inversores. Estes dispositivos são utilizados em equipamentos industriais compactos, como motores de pequena capacidade para robôs, bem como em eletrodomésticos, incluindo aparelhos de ar condicionado e máquinas de lavar roupa.
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- Categoria: Circuitos Integrados
A Nexperia anuncia a disponibilidade em larga escala da sua família de MOSFETs de potência GaN de 650 V de segunda geração, oferecendo vantagens de desempenho significativas em relação às tecnologias anteriores e aos dispositivos concorrentes. Com uma resistência de condução (RDS(on)) até 35 mΩ (típica), os novos MOSFET de potência GaN estão orientados para fontes de alimentação comutada (SMPS) industriais monofásicas CA/CC e CC/CC de 2 kW a 10 kW, especialmente fontes de alimentação para servidores e telecomunicações que devem cumprir a norma de eficiência 80 PLUS® Titanium. Os dispositivos são também adequados para inversores solares e servo-acionamentos na mesma gama de potência.
Disponíveis em encapsulamento TO-247, os novos MOSFET de potência GaN H2 de 650 V oferecem uma redução de tamanho de 36% para um determinado valor de RDS(on), melhorando a estabilidade e a eficiência.
A configuração em cascata elimina a necessidade de controladores complexos, acelerando o tempo de lançamento no mercado. Os dispositivos oferecem um desempenho excecional tanto em configurações de comutação rígida como em configurações de comutação suave, proporcionando aos designers a máxima flexibilidade.
Dilder Chowdhury, Diretor de Marketing Estratégico para GaN na Nexperia, explica: “O titânio é a especificação mais exigente do 80 PLUS®, exigindo uma eficiência superior a 91% em condições de carga total (superior a 96% com 50% de carga). Atingir este nível de desempenho em aplicações de energia para servidores que operam a 2 kW ou mais, utilizando componentes de silício convencionais, é complexo e desafiante. Os novos FET de potência GaN da Nexperia são perfeitamente adequados para uma configuração totem pole elegante e sem ponte, que utiliza menos componentes e reduz tanto o tamanho físico como os custos.”
Os FET GaN GAN041-650WSB da Nexperia já estão disponíveis em grande volume.
Fichas técnicas dos produtos e vídeos explicativos rápidos.
Os designers podem ver os FET de GaN da Nexperia em ação, visitando o stand da Nexperia na PCIM Digital Days, de 3 a 7 de maio.
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A Nexperia anunciou uma nova gama de dispositivos de proteção ESD especificamente concebidos para proteger o número cada vez maior de interfaces de alta velocidade encontradas em aplicações automóveis, especialmente as redes veiculares (IVNs) associadas aos sistemas de infoentretenimento e comunicações dos veículos.
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A Pre-Switch, Inc., uma startup de Silicon Valley que desenvolveu o primeiro controlador de comutação suave CA/CC baseado em IA do mundo, divulgou dados de desempenho que mostram que o seu inversor de avaliação CleanWave200 de 200 kW (modulado por vetor espacial) excede 99,3% a 100 kHz utilizando apenas três MOSFETs de SiC discretos e de baixo custo de 35 mΩ por ponto de comutação.
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