Os novos módulos integram MOSFETs mSiC® de carboneto de silício (SiC) de 3,3 kV e díodos Schottky num encapsulamento padrão de 62 mm para um fornecimento de energia eficiente e direto da rede de média tensão para o bastidor de servidores.
Os centros de dados de IA continuam a expandir-se rapidamente, mas a geração de tokens é limitada pela disponibilidade de energia; ao mesmo tempo, a eficiência é um fator primordial para o retorno do investimento. As arquiteturas tradicionais baseadas em transformadores volumosos de baixa frequência aumentam a complexidade, as perdas e limitam a flexibilidade.Os transformadores de estado sólido representam uma mudança significativa no setor energético, uma vez que reduzem o número de fases de conversão e permitem uma maior eficiência do sistema. A adoção de energia CC de alta tensão, montada em racks, nos centros de dados de IA de próxima geração aumenta ainda mais o valor dos transformadores de estado sólido (SSTs), concebidos para fornecer CC regulada diretamente a partir da rede de média tensão com menos fases de conversão.
Os módulos HV-D3 mSiC da Microchip foram concebidos especificamente para satisfazer estes requisitos. Estes módulos utilizam a tecnologia MOSFET mSiC da Microchip, que oferece uma excelente estabilidade do RDS(on) em relação à temperatura. O encapsulamento proporciona um isolamento de 6 kV, incorpora materiais com classificação CTI 600 e amplia as distâncias de fuga, tudo concebido para permitir uma ligação em série segura de alta tensão. O substrato de nitreto de silício (Si₃N₄) melhora a conectividade térmica e a capacidade de ciclos de energia, ajudando os engenheiros a aumentar a densidade de potência com um arrefecimento menos agressivo.
“Os centros de dados de IA continuam a aumentar as exigências de fornecimento de energia entre a rede elétrica e a GPU, tornando os transformadores de estado sólido cada vez mais importantes”, disse Clayton Pillion, vice-presidente da unidade de negócio de Soluções de Alta Potência da Microchip. “Os nossos módulos de potência mSiC HV-D3 de 3,3 kV permitem aos projetistas reduzir o número de dispositivos ligados em série em cerca de metade, em comparação com outros dispositivos SiC de tensão mais baixa, quando ligados a redes de 13,8 kV ou 34,5 kV. Estes dispositivos também preenchem uma lacuna crítica no mercado industrial para produtos de 100 a 300 A, integrando dispositivos SiC discretos e módulos de potência muito maiores.”.
Os módulos de potência HV-D3 mSiC estão disponíveis em configurações de meia ponte e fonte comum, com e sem díodos Schottky antiparalelos, para aplicações na gama de 100 a 300 A. A tecnologia MOSFET mSiC da Microchip oferece perdas de comutação equilibradas para topologias de comutação rígida e suave, tornando estes dispositivos ideais para projetos SST e outros sistemas de alta frequência e alta tensão.
Embora otimizados para transformadores de estado sólido em centros de dados de IA, os módulos de potência HV-D3 mSiC também servem uma vasta gama de aplicações, incluindo infraestruturas de carregamento de megawatts para veículos pesados, fontes de alimentação auxiliares para transporte ferroviário e pesado, acionamentos de motores de média tensão e sistemas de energia industriais e de defesa. Estes mercados beneficiam da mesma combinação de elevado isolamento, robustez térmica e conversão eficiente de energia.
Ferramentas de desenvolvimento:
Os módulos de potência de 3,3 kV contam com o suporte de uma nota de aplicação, um guia de designe modelos de dispositivos e simulação para prototipagem rápida. A Microchip também oferece suporte técnico global, serviços de design e suporte de engenharia de aplicações no local.
