(corrente contínua de alta tensão). Neste ambiente, o dispositivo da ROHM foi selecionado como fonte de alimentação de SiC compatível com os sistemas de alimentação de última geração.
Com o desempenho cada vez maior das GPUs e a crescente adoção da IA genérica, o consumo de energia dos data centers está a aumentar rapidamente. Para fazer face a este desafio, o setor está a direcionar o seu foco para as arquiteturas HVDC (corrente contínua de alta tensão) de forma a reduzir as perdas na transmissão de energia. Nestes ambientes de alta potência e alta tensão, as BBUs (unidades de barramento de banda) e as CUs (unidades de condensadores), que compensam a energia ao nível do bastidor de servidores, desempenham um papel cada vez mais crucial na proteção de sistemas e de grandes volumes de dados contra anomalias como falhas de energia ou interrupções momentâneas.
O produto incorporado é o SCT4013DLL, um MOSFET de SiC de 750 V instalado na secção de alimentação de uma arquitetura de energia de ±400 V para servidores de IA. Aproveitando as características do SiC, este produto oferece uma elevada tolerância à temperatura, com uma temperatura máxima de junção (Tj) de 175 °C, permitindo um funcionamento estável mesmo em BBUs onde a geração de calor aumenta com tensões e densidades de potência mais elevadas.
Nas arquiteturas de alimentação de 800 VCC de última geração, a tensão de alimentação fornecida ao banco de baterias dentro da BBU é de aproximadamente 560 V. Por este motivo, os MOSFET de SiC da ROHM com uma tensão nominal de 750 V também podem ser utilizados nestes sistemas.
As fontes de alimentação HVDC para servidores de IA de última geração requerem sistemas de reserva capazes de controlar instantaneamente tensões elevadas e grandes correntes com uma perda mínima de energia em caso de falha. Para satisfazer estes requisitos exigentes, espera-se que os dispositivos de potência de SiC, que combinam capacidade de alta tensão, baixas perdas e tolerância a altas temperaturas, sirvam como componentes-chave no núcleo do controlo de potência.
Visando o crescimento contínuo dos mercados de servidores de IA e de data centers, a ROHM irá reforçar ainda mais o desenvolvimento e o fornecimento de dispositivos de potência utilizando SiC, GaN e silício. A ROHM contribuirá também para alcançar uma maior eficiência energética e construir uma sociedade sustentável, oferecendo soluções que combinam estes dispositivos de potência com circuitos integrados analógicos e outras tecnologias.
EcoSiC
™ é uma marca de dispositivos que utilizam carboneto de silício (SiC) e está a atrair a atenção no setor dos dispositivos de potência por demonstrar um desempenho superior ao do silício (Si). A ROHM desenvolve de forma independente tecnologias essenciais para a evolução do SiC, desde o fabrico de wafers e processos de produção até aos métodos de embalagem e controlo de qualidade. Ao mesmo tempo, implementámos um sistema de produção integrado em todo o processo de fabrico, consolidando a nossa posição como um dos principais fornecedores de SiC.
EcoSiC™ é uma marca comercial ou marca registada da ROHM Co., Ltd.
Informação relacionada:
A ROHM oferece informações sobre dispositivos de potência de SiC no seu website, incluindo um prático "Localizador Fácil de Componentes" para selecionar produtos com base em condições específicas, bem como modelos de design que facilitam a avaliação e a implementação. Consulte abaixo os materiais e recursos técnicos relacionados.
• Nota de Aplicação: Embalagem Discreta de MOSFETs de SiC de 4ª Geração: Características e Precauções para o Design de Circuitos
• Nota de Aplicação: Vantagens de Aplicação da Utilização de MOSFETs de SiC de 4ª Geração
• White Paper: Soluções de Arquitectura de 800 VCC da ROHM para Servidores de IA
• Diálogo Especial: Restrições de Energia em Data Centers Intensificam-se: Porque é que a Delta e a ROHM estão a Apostar na Corrente Contínua de Alta Tensão (HVDC)?
