para o controlo de motores CC com escovas e comutação de cargas em linhas de energia em equipamentos de controlo industriais e de consumo.

Utiliza o processo UMOSVIIH da Toshiba para o MOSFET de canal N e o processo UMOSVI para o MOSFET de canal P. É fornecido num encapsulamento TSOP6F compacto (2,9 mm × 2,8 mm × 0,8 mm) com terminais planos para uma maior eficiência de montagem.

O dispositivo atinge baixos valores de resistência no estado ligado (RDS(ON)) de 46 mΩ (máx.) (VGS = 10 V) para o MOSFET de canal N e 45 mΩ (máx.) (VGS = -10 V) para o MOSFET de canal P. Como os valores de RDS(ON) são praticamente idênticos, as perdas por condução são bem equilibradas, simplificando o desenvolvimento de circuitos para os projetistas. Além disso, a integração de ambos os tipos de MOSFETs num único encapsulamento reduz o espaço ocupado na placa de circuito impresso, o número de componentes e o custo da lista de materiais (BOM).

Com o lançamento do SSM6L826R, a Toshiba expande a sua gama de MOSFETs duplos TSOP6F para incluir três MOSFETs duplos de canal N, um MOSFET duplo de canal P e dois MOSFETs complementares (N+P), oferecendo aos engenheiros uma maior flexibilidade na seleção do dispositivo ideal para os seus projetos.

Mais informações