Conhecidos como série TRSxxx65H, os novos dispositivos utilizam um novo metal Schottky. O chip SiC SBD de 3ª geração otimiza a estrutura da barreira de junção Schottky (JBS) dos produtos de 2ª geração, reduzindo assim o campo elétrico na interface Schottky e a corrente de fuga, resultando numa maior eficiência.
Os dispositivos de 3ª geração conseguem uma excelente tensão direta (VF) baixa de 1,2 V (típica). Isto representa uma redução de 17% em relação aos produtos de 2ª geração. Os novos produtos de 3ª geração melhoraram os offsets entre o VF e a carga capacitiva total (QC), que é normalmente de 17 nC para o TRS6E65H.
A relação tensão/corrente inversa (IR) também foi melhorada em comparação com os produtos de segunda geração, com o TRS6E65H a atingir um valor típico de IR de 1,1 µA. Todas estas melhorias reduzem a dissipação de energia e contribuem para o aumento da eficiência nos equipamentos do utilizador final.
Os dispositivos da série TRSxxx65H são capazes de suportar correntes contínuas CC (IF(DC)) até 12 A e correntes de surto de onda quadrada não repetitiva (IFSM) até 640 A. Sete dos novos dispositivos estão encapsulados em encapsulamentos TO-220-2L, enquanto os restantes cinco são fornecidos em encapsulamentos SMD DFN8×8 compactos e planos.
