A segurança das baterias de iões de lítio é reforçada por circuitos de proteção robustos que minimizam a geração de calor durante os processos de carga e descarga. Para atingir o desempenho de carga necessário, estes circuitos devem apresentar um baixo consumo de energia. Dada a natureza compacta destas soluções, os MOSFET adequados devem ser pequenos e finos, além de oferecerem uma baixa resistência de junção.
O novo SSM14N956L de 20 A foi concebido para uma tensão fonte-fonte (VSSS) de 12 V e utiliza o microprocessador da Toshiba, tal como o SSM10N954L de 13,5 A lançado anteriormente. Isto garante excelentes características de baixa resistência de ativação (RSS(ON)), atingindo apenas 1 mΩ, limitando as perdas por condução. Além disso, o processo de fabrico proporciona uma baixa corrente de fuga entre porta e fonte (IGSS) de ±1 µA (máx.), permitindo um baixo consumo de energia em modo de espera. Em conjunto, estes atributos possibilitam um maior tempo de funcionamento da bateria entre recargas.
Para se adequar ao espaço limitado disponível nestas aplicações, o novo SSM14N956L foi concebido como um encapsulamento à escala do chip, conhecido como TCSPED-302701. As suas dimensões são de apenas 2,74 mm x 3,0 mm, com uma altura típica de apenas 0,085 mm.
