O novo encapsulamento SOP Advance(E) representa uma melhoria substancial em relação ao encapsulamento SOP Advance(N) existente da Toshiba, reduzindo a resistência do encapsulamento em aproximadamente 65% e a resistência térmica em aproximadamente 15%. Estas melhorias no encapsulamento traduzem-se diretamente em desempenho superior do dispositivo. O TPM1R908QM de 80 V apresenta uma redução de aproximadamente 21% na resistência dreno-fonte (RDS( ON )) e uma redução de aproximadamente 15% na resistência térmica canal-carcaça (Rth(ch-c)) em comparação com o produto existente da Toshiba, o TPH2R408QM, à mesma tensão nominal. Da mesma forma, o TPM7R10CQ5 de 150 V consegue uma RDS( ON ) aproximadamente 21% inferior e uma Rth (ch-c) aproximadamente 15% inferior ao TPH9R00CQ5 existente da Toshiba, também à mesma tensão nominal. O TPM7R10CQ5 está equipado com um díodo de corpo de alta velocidade para aumentar a eficiência na retificação síncrona.

A redução da resistência no estado ligado e a supressão do aumento de temperatura, obtidas através da melhoria da resistência térmica, contribuem para uma menor resistência total no estado ligado, mesmo considerando características de temperatura positivas. Esta combinação possibilita, em última análise, a redução de perdas e o aumento da eficiência em aplicações críticas, como fontes de alimentação comutada para equipamentos industriais, incluindo as que alimentam centros de dados e estações base de comunicação.

O TPM1R908QM apresenta uma tensão dreno-fonte (V <sub>DSS</sub> ) de 80 V, uma corrente de dreno (I<sub> D </sub> ) de 238 A (T<sub>c</sub> = 25 °C) e uma resistência máxima R<sub>DS( ON )</sub> de 1,9 mΩ (V <sub>GS</sub> = 10 V). O TPM7R10CQ5 oferece uma V <sub>DSS </sub> de 150 V, uma I<sub> D</sub> de 120 A (T<sub>c</sub> = 25 °C) e uma resistência máxima R<sub>DS( ON )</sub> de 7,1 mΩ (V <sub>GS</sub> = 10 V). Ambos os produtos têm uma temperatura do canal (T<sub>ch</sub>) de 175 °C e um R<sub>th</sub> (ch-c) de 0,6 °C/W (T<sub>c</sub>=25 °C). O pacote Advance(E) SOP mede tipicamente 4,9 mm × 6,1 mm.

Para facilitar ainda mais o design de circuitos para fontes de alimentação comutadas, a Toshiba disponibiliza também um modelo SPICE G0 para uma verificação rápida do funcionamento do circuito, juntamente com modelos SPICE G2 de alta precisão que reproduzem com exatidão as características transitórias.