AP20GT60P-HF-3 se beneficia de una tensión de saturación típica, VCE(sat), de 1,8 V a Ic=20A, una disipación de potencia máxima a 25ºC de 104W, y viene en un encapsulado TO-220 totalmente compatible con RoHS y libre de halógenos. AP20GT60ASP-HF-3 (con diodo interno) tiene una tensión de saturación típica de 1,7V a Ic=19A, una disipación de potencia máxima a 25ºC de 78W, un ratio de diodo de corriente directa de 8A, y un ratio de diodo de pulso de corriente directa de 40A. Se presenta en un encapsulado TO-200 totalmente compatible con RoHS y libre de halógenos.
Con una tensión de saturación de 1,8 V a Ic=20A y una disipación de potencia máxima a 25ºC de 25W, el dispositivo AP20GT60I-HF-3 viene en un encapsulado aislado TO-220CFM totalmente compatible con RoHS y libre de halógenos . El correspondiente IGBT AP20GT60ASI-HF-3 con diodo interno tiene una tensión de saturación típica de 1,7V a Ic=12A, una disipación de potencia máxima a 25ºC de 33W, ratio de diodo de corriente directa de 8A, y un ratio de diodo de pulso de corriente directa de 40A. El dispositivo se presenta en un encapsulado aislado TO-220CFM totalmente compatible con RoHS y libre de halógenos.
