El nuevo informe técnico detalla las ventajas de rendimiento de los HEMT PowiGaN de 1250 V de Power Integrations, pioneros en el sector, y muestra su fiabilidad probada sobre el terreno y su capacidad para cumplir los requisitos de densidad de potencia y eficiencia (>98 %) de la arquitectura de 800 VCC. Además, el documento demuestra que un solo interruptor PowiGaN de 1250 V ofrece una mayor densidad de potencia y eficiencia en comparación con los FET GaN apilados de 650 V y los dispositivos SiC de 1200 V de la competencia.
El informe técnico también destaca los circuitos integrados InnoMux™2-EP de Power Integrations como una solución única para fuentes de alimentación auxiliares en centros de datos de 800 VCC. El interruptor PowiGaN de 1700 V integrado en el dispositivo InnoMux-2 admite una tensión de entrada de 1000 VCC, mientras que su funcionamiento SR ZVS proporciona más del 90,3 % de eficiencia del sistema de 12 V en una arquitectura de 800 VCC refrigerada por líquido y sin ventilador.
«Con el aumento de la demanda de energía de la IA, el paso a una entrada de 800 VCC simplifica el diseño de los racks, hace un uso más eficiente del espacio y reduce el uso de cobre», afirma Roland Saint-Pierre, vicepresidente de desarrollo de productos de Power Integrations. «Con el aumento de la demanda de energía de los racks, consideramos que los dispositivos PowiGaN de 1250 V y 1700 V son la opción ideal para las fuentes de alimentación principales y auxiliares, ya que ofrecen la eficiencia, la fiabilidad y la densidad de potencia que se requieren en los centros de datos de 800 VCC».
Power Integrations, el único proveedor de interruptores GaN de alta tensión de 1250 V y 1700 V en producción en serie, presentó sus primeros circuitos integrados GaN en 2018 y actualmente cuenta con más de 175 millones de interruptores GaN en uso en productos finales que van desde cargadores rápidos hasta centros de datos y vehículos eléctricos.
