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14 Abr 2014

Microchip anuncia una nueva EEPROM SPD (Serial Presence Detect) I2C™ de 4Kb: 34AA04. Este dispositivo está especialmente diseñado para funcionar con la siguiente generación de módulos SDRAM DDR4 (Double Data Rate 4) utilizados en PC y ordenadores portátiles de alta velocidad, además de ofrecer soporte a plataformas DDR2/3 antiguas.

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20 Mar 2014

Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado la producción en masa de las memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que serán utilizadas en una amplia gama de aplicaciones informáticas.

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12 Mar 2014

Toshiba Electronics Europe ha ampliado su gama de memoria flash BENANDTM SLC NAND con corrección de errores de 8 bits integrado ( ECC ). El lanzamiento de la nueva BENAND SLC 8Gb 24nm permite a los fabricantes utilizar la última tecnología de 24nm en los dispositivos que se han diseñado para usar NAND 4xnm,

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14 Feb 2014

I’M Intelligent Memory, fabricante "fabless" de DRAM ubicado en Hong Kong, entra en el mercado de los componentes de memoria para uso industrial con capacidades hasta los 4 Gigabit por chip.

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05 Mar 2013

Alliance Memory presenta la nueva DRAM síncrona (SDRAM) con CMOS de alta velocidad con una baja densidad de 16 Mb en encapsulado plástico de 50-pin, 400-mil TSOP II. El AS4C1M16S ofrece un rápido tiempo de acceso reloj de 5,4 ns en un ciclo de reloj de 7 ns, y una rápida tasa de velocidad de reloj de 143 MHz.

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12 Feb 2013

Kingston Technology Europe, anunciado el HyperX® Beast, el último lanzamiento de la gama de productos Hyper X que combina las más altas prestaciones con la mayor capacidad disponible en el mercado y compatible con XMP Ready de Intel. Con un llamativo y agresivo diseño de su disipador de calor, HyperX Beast es ideal para jugones, creadores de contenidos, y resto de usuarios que buscan un hardware de alto rendimiento y un diseño innovador.

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05 Dic 2012

La memoria flash todavía tiene muy buena salud. Los dispositivos móviles inteligentes del mercado de consumo, tales como tablets y smartphones, están impulsando fuertemente el mercado de las memorias flash y de los semiconductores en general, previéndose que los tablets alcancen una cuota mayor en los próximos años. Según  algunos estudios, el mercado de flash NAND, el tipo más común de memoria flash, tendrá una tasa de crecimiento anual compuesto del 7% entre 2011 y 2015.

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08 Oct 2012

Microchip ha anunciado la ampliación de su catálogo de SRAM serie con cuatro nuevos dispositivos que proporcionan mayor capacidad y velocidad. También se trata de la primera SRAM serie del mercado que funciona a 5V, que se utiliza generalmente en aplicaciones en automoción y la industria.

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04 Ene 2012

SemiSouth Laboratories, Inc. ha anunciado que el JFET de carburo de silicio fabricado por la empresa se ha utilizado en pequeños inversores de 0,5 litros para alcanzar una densidad de potencia de salida de 30kWh/l. Si los inversores de este tamaño y capacidad se utilizan con paneles fotovoltaicos, un inversor podría proporcionar electricidad suficiente para hasta cinco hogares.

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15 Nov 2011

International Rectifier lanza al mercado una familia de IGBT de 600 V homologados para el automóvil y optimizados para aplicaciones de control de motores de velocidad variable y de la fuente de alimentación utilizada en vehículos eléctricos e híbridos.

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14 Oct 2011

International Rectifier (IR) amplía su oferta de PQFN con un encapsulado PQFN de 2 mm x 2 mm y un PQFN de 3,3 mm x 3,3 mm. Los nuevos encapsulados integran dos MOSFET HEXFET® que utilizan la tecnología de silicio más avanzada de IR para ofrecer una solución económica y de alta densidad dirigida a aplicaciones de bajo consumo como teléfonos inteligentes, PC de tableta, videocámaras, cámaras fotográficas digitales, motores de CC y cargadores inductivos sin hilos así como PC portátiles, servidores y equipamiento para redes de comunicaciones.

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06 Sep 2011

Rohm Semiconductor amplía su línea de MOSFET de alta velocidad de conmutación y  alta resistencia a alto voltaje para circuitos PFC en fuentes de alimentación conmutada y circuitos de interruptor principal. Se encuentran disponibles en variedad de encapsulados tanto en montaje superficial (p.e.  CPT/D-PAK, LPT/D2-PAK) y de inserción tradicional (p.e.  A-3PF).