Toshiba Memory Europe GmbH (TME) ha comenzado a mandar muestras de la versión de 128GB de almacenamiento flash universal (UFS) Ver.3.0 de la industria de dispositivos de memoria flash embebida. Los consumidores continúan exigiendo un rendimiento cada vez mayor y una mejor experiencia de usuario desde sus dispositivos, y el estándar UFS se está perfeccionando constantemente para respaldar esta evolución. Debido a su interfaz en serie, UFS admite la impresión a doble cara, lo que permite la lectura y escritura simultáneas entre el procesador central y el dispositivo UFS. Con la introducción de UFS 3.0, JEDEC, el líder mundial en el desarrollo de estándares para la industria de la microelectrónica, ha mejorado las versiones anteriores del estándar UFS para ayudar a los diseñadores de productos a permitir mejoras significativas en dispositivos móviles y aplicaciones relacionadas.
Los nuevos dispositivos integran una memoria flash 3D BiCS FLASH ™ de 96 capas y un controlador en un paquete estándar de JEDEC de 11,5 x 13 mm. El controlador realiza la corrección de errores, la nivelación del desgaste, la traducción de direcciones lógicas a físicas y la gestión de bloques defectuosos para el desarrollo simplificado del sistema.
Los tres dispositivos son compatibles con JEDEC UFS Ver. 3.0, incluido HS-GEAR4, que tiene una velocidad de interfaz teórica de hasta 11,6 Gigabits por segundo por línea (x2 líneas = 23,2Gbps), al mismo tiempo que admite funciones que suprimen los aumentos en el consumo de energía. El rendimiento de lectura y escritura secuencial del dispositivo de 512 GB se ha mejorado en aproximadamente un 70 por ciento y un 80 por ciento, respectivamente, con respecto a los dispositivos Toshiba de 256 GB de la generación anterior.
Toshiba fue la primera compañía en introducir dispositivos UFS y los ha estado lanzando desde 2013. La introducción de estos dispositivos UFS Ver. 3.0 mantienen la posición de liderazgo de Toshiba en almacenamiento para dispositivos móviles de próxima generación que continuarán impulsando nuevos avances.
