Las instalaciones de los SSD NAND de 3-bit, se llevará a cabo inicialmente en centro de datos de gran tamaño, y se esperan que comiencen a finales de este cuatrimestre.
Los nuevos PM853T SSD, están disponibles en diferentes capacidades de 240 GB, 480GB y 960 GB, ofreciendo altos niveles de rendimiento IOPS (inputs/outputs per second) y calidad de servicio (QoS), ambos, esenciales para los centros de datos y aplicaciones de servicio en la nube. Gracias a estos beneficios, Samsung espera que la adopción de los SSD de 3 bit en los centros de datos avance de manera rápida en sustitución de los SSD de 2 bit.
El SSD PM853T ofrece un 30 por ciento más de eficiencia comparado con los SSD que usan componentes flash NAND de 2 bit. Los componentes flash de 10 nanómetros de Samsung* NAND Flash MLC (Multi-level cell) de 3-bit y la tecnología de controlador avanzada, ofrecen velocidades de lectura secuencial de 520 megabytes por segundo (MB/s), y de escritura secuencial es 420 MB/s. Además, la lectura random es de 90.000 IOPS y 14.000 IOPS de escritura.
Desde que salió al mercado el SSD 840 EVO en 2012, Samsung ha liderado la oferta de SSD para notebooks ultrafinos y PCs. Con PM853T, ahora se asegura un punto fuerte en los SSD de alta eficiencia para centros de datos de gran tamaño.
Con la presentación de los SSD 3 SATA 6Gb/s 3-bit, Samsung refuerza su colaboración con los centros de datos mundiales y servidores para clientes, al mismo tiempo que aumenta su amplia gama de SSD (que incluye los interfaces SATA, SAS, y PCIe/NVME) para mejorar su liderazgo en el mercado de los SSD Premium.
Una reciente investigación de mercado realizado por IHS iSuppli, indica que se espera un crecimiento del mercado mundial de SSD de aproximadamente un 30 por ciento, pasando desde los 9.400 millones de dólares en 2013 hasta los 12.400 en 2014. El informe expone también que se mantendrá un elevado crecimiento en los próximos años, alcanzando hasta los 20.000 millones en 2017.
