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Nexperia ha anunciado que uno de sus encapsulados de dispositivos de montaje superficial -el encapsulado FlatPower de unión por clip CFP15B- ha superado, por primera vez, las pruebas de fiabilidad a nivel de placa (BLR) para aplicaciones de automoción por parte de un proveedor líder de primer nivel. Inicialmente, se utilizará en una unidad de control del motor.
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Nexperia ha anunciado hoy nueve nuevos transistores bipolares de potencia, ampliando su cartera de productos en el encapsulado DPAK, ventajoso desde el punto de vista térmico y eléctrico, para cubrir aplicaciones de 2 A a 8 A y de 45 V a 100 V. Los nuevos componentes de la serie MJD son compatibles pin a pin con otros dispositivos MJD en encapsulado DPAK, y también ofrecen importantes ventajas de fiabilidad.
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La fabricación inteligente está aumentando la eficiencia de la automatización a medida que las redes digitales conectan un creciente número de máquinas, equipos en la línea de producción y robótica. Las redes OT (Operation Technology) e IT (Information Technology) que son fundamentales para IIoT (Industrial Internet of Things, es decir, Internet de las Cosas Industrial) se basan en Ethernet para su interoperabilidad, así como para incrementar la velocidad de transmisión de los datos y garantizar la seguridad.
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Nexperia ha respondido a las demandas de la industria de maximizar el rendimiento definiendo un nuevo grupo de productos MOSFET. Los FETs de Aplicación Específica (ASFETs) presentan MOSFETs con parámetros optimizados para aplicaciones específicas. Al centrarse en aplicaciones individuales pueden ofrecer mejoras significativas.
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Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba") ha presentado un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200V destinado a aplicaciones industriales de alta potencia como fuentes de alimentación CA/CC de 400V CA de entrada, inversores fotovoltaicos y convertidores CC/CC bidireccionales para SAI (sistemas de alimentación ininterrumpida).
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Bizen®, la nueva tecnología disruptiva de proceso de obleas, ha sido verificada mediante resultados de obleas físicas y calibración para ofrecer los mismos niveles de voltaje, velocidades de conmutación y rendimiento de gestión de potencia de los dispositivos con amplia brecha de bandas (bandgap), afirman los desarrolladores Search For The Next (SFN).
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Würth Elektronik ha publicado un diseño de circuito mediante transmisores con separación galvánica. La solución tiene un aislamiento de 1,5 kV/60 s y por lo tanto es adecuada para el uso industrial, en contraste con los anteriores circuitos que utilizan dos condensadores de 50 V como separación galvánica.
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Nexperia, el experto en semiconductores esenciales, ha anunciado una gama de nuevos rectificadores de Germanio de Silicio (SiGe) con voltajes inversos de 120 V, 150 V y 200 V que combinan la alta eficiencia de sus contrapartes Schottky con el Estabilidad térmica de diodos de recuperación rápida.
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Toshiba Electronics Europe GmbH ha anunciado un nuevo IGBT (insulated gate bipolar transistor) discreto de 1350 V para su uso en aplicaciones de electrodomésticos basadas en resonancia que utilicen calentamiento por inducción, como placas de cocina, arroceras y hornos microondas.
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Nexperia ha presentado la primera familia de MOSFETs de canal P de la industria en el robusto encapsulado LFPAK56 (Power-SO8) que ahorra espacio. Calificado AEC-Q101 para aplicaciones de automoción, los nuevos dispositivos son un reemplazo ideal para los MOSFET DPAK, ya que ofrecen una reducción de la huella de más del 50% y mantienen altos niveles de rendimiento.
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RC Microelectrónica presenta las series GTXO-73 y GTXO-C73 en formato miniatura SMD 7050 con estabilidad Stratum 3, en encapsulados realmente pequeños.
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Mouser Electronics, Inc., el distribuidor mundial autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más novedosos, ahora está almacenando los módulos de inversores trifásicos CIPOS Tiny de Infineon Technologies.
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