Los nuevos MRDIMM DDR5 son necesarios para satisfacer las crecientes demandas de ancho de banda de memoria de la Inteligencia Artificial (IA), la Computación de Alto Rendimiento (HPC) y otras aplicaciones de centros de datos. Ofrecen velocidades operativas de hasta 12.800 megatransferencias por segundo (MT/s), lo que supone una mejora de 1,35 veces en el ancho de banda de memoria con respecto a las soluciones de primera generación. Renesas ha desempeñado un papel decisivo en el diseño, desarrollo y despliegue de los nuevos MRDIMM, colaborando con los líderes del sector, incluidos los proveedores de CPU y memoria, junto con los clientes finales.

Renesas ha diseñado y ejecutado tres nuevos componentes críticos: el Multiplexed Registered Clock Driver (MRCD) RRG50120 de segunda generación, el Multiplexed Data Buffer (MDB) RRG51020 de segunda generación y el Power Management Integrated Circuit (PMIC) RRG53220 de segunda generación. Renesas también ofrece soluciones de sensor de temperatura (TS) y concentrador de detección de presencia en serie (SPD) en producción en serie, lo que la convierte en la única empresa de interfaces de memoria que ofrece las soluciones completas de chipset para MRDIMM de próxima generación estándar del sector, así como para el resto de DIMM de servidor y cliente.

El MRCD de segunda generación RRG50120 de Renesas se utiliza en los MRDIMM para amortiguar el bus de comandos y direcciones (CA), las selecciones de chip y los relojes entre el controlador host y las DRAM. Consume un 45% menos de energía que el dispositivo de primera generación, una especificación crítica para la gestión del calor en sistemas de muy alta velocidad. El RRG51020 Gen2 MDB es el otro dispositivo clave utilizado en los MRDIMM para almacenar los datos de la CPU host en las DRAM. Tanto el nuevo MRCD como el MDB de Renesas soportan velocidades de hasta 12,8 Gigabytes por Segundo (Gbps). Además, el PMIC de nueva generación RRG53220 de Renesas ofrece la mejor protección contra sobrecarga eléctrica de su clase y una eficiencia energética superior, y está optimizado para un funcionamiento a alta corriente y bajo voltaje.

Más información