La proliferación de baterías de alto voltaje en la movilidad eléctrica, drones y herramientas eléctricas profesionales plantea un desafío crucial: la protección contra fallos catastróficos durante cortocircuitos externos, donde las corrientes pueden alcanzar miles de amperios. El MOSFET de descarga es el único componente responsable de aislar la batería en estas condiciones extremas.
"En los paquetes de alta energía, la robustez es fundamental. Los diseños MOSFET tradicionales se ven obligados a elegir entre lograr una RDS(on) ultrabaja para obtener eficiencia y la integridad estructural necesaria para soportar una corriente de cortocircuito masiva", afirmó el Dr. Phil Rutter, vicepresidente de Diseño de iDEAL Semiconductor. "La plataforma SuperQ™ elimina este dilema. Nuestra estructura de celda patentada ofrece la menor resistencia en estado activo del mercado, junto con un margen de seguridad inigualable, lo que brinda a los diseñadores la confianza necesaria para crear sistemas de baterías más pequeños, fiables y económicos".
Resistencia a cortocircuitos 1,4 veces superior
Las pruebas internas de iDEAL Semiconductor demostraron la significativa ventaja de rendimiento de SuperQ. Una comparación directa del iS15M2R5S1T (150 V, 2,5 mΩ, encapsulado TOLL) frente a un competidor líder reveló lo siguiente:
El dispositivo SuperQ demostró una capacidad de resistencia a cortocircuitos 1,4 veces superior a la de su competidor más cercano. Este rendimiento revolucionario se logra gracias a una estructura celular patentada que presenta una región de conducción más amplia, lo que maximiza la densidad de potencia y la integridad estructural bajo condiciones de estrés extremo.
Para los diseñadores de paquetes de baterías, esta SCWC superior se traduce en beneficios a nivel de sistema:
Reducción de componentes: Gracias a que cada dispositivo SuperQ soporta una corriente de cortocircuito significativamente mayor, los diseñadores pueden utilizar hasta un 50 % menos de MOSFET en paralelo para cumplir con los mismos requisitos de seguridad.
Ahorro de costes: La reducción del número de componentes y su complejidad conlleva una disminución sustancial del coste total de los materiales (BOM) y simplifica el diseño de la placa.
Eficiencia: Mantener una RDS(on) ultrabaja de 2,5 mΩ minimiza las pérdidas por conducción, prolonga la autonomía de la batería y reduce las necesidades de gestión térmica.
La gama SuperQ está disponible de inmediato con dispositivos de hasta 200 V, ofreciendo soluciones para plataformas de baterías que van desde 72 V hasta más de 144 V.
