Los MOSFET CoolSiC™ G2 ofrecen los más altos estándares de calidad en todas las combinaciones de esquemas de energía comunes (CA-CC, CC-CC y CC-CA) y avanzan aún más en la tecnología de interconexión XT exclusiva de Infineon (por ejemplo, en carcasas discretas TO-263-7, TO-247-4) para mejorar el rendimiento del chip semiconductor y la capacidad térmica.
Tanto el MOSFET CoolSiC™ G2 de 650 V como el de 1200 V mejoran el rendimiento clave de MOSFET para la energía almacenada y la carga hasta en un 20 % sin comprometer la calidad o la fiabilidad, al tiempo que mejora la eficiencia energética general y la descarbonización. La nueva generación de tecnología SiC de CoolSiC™ G2 ofrece un diseño acelerado de sistemas más rentables, compactos, fiables y altamente eficientes, con ahorros en la recolección de energía y reducción de CO2 por cada vatio en el campo.
