y la caída de tensión directa para los dispositivos de su clase, sino que también proporcionan la menor capacitancia de unión y el menor tiempo de recuperación. Los rectificadores de Vishay Semiconductors presentados hoy incluyen los modelos VS-E7SX0112-M3V, VS-E7SX0212-M3V y VS-E7SX0312-M3V, así como los modelos VS-E7SX0112HM3V, VS-E7SX0212HM3V y VS-E7SX0312HM3V, que cuentan con la certificación AEC-Q101. Para reducir las pérdidas de conmutación y aumentar la eficiencia, los dispositivos combinan un tiempo de recuperación rápido de 50 ns con un Qrr de hasta 105 nC (típico), una caída de tensión directa de hasta 1,45 V y una capacitancia de unión de hasta 7,25 pF. E
stos robustos rectificadores ofrecen una corriente de pico de sobretensión no repetitiva de hasta 70 A en un encapsulado compacto de 4,3 mm x 6,5 mm con un perfil reducido de 1,1 mm, compatible en cuanto a huella con el TO-277A. En combinación con una distancia de fuga mínima de 5,4 mm y un compuesto de moldeo con un índice de seguimiento comparativo (CTI) ≥ 600 (Grupo de materiales I), estos dispositivos reducen el número de componentes y los costes de la lista de materiales (BOM) de acuerdo con los requisitos de la norma IEC 60664-1 para aplicaciones de alta tensión.
Los modelos VS-E7SX0112-M3V, VS-E7SX0212-M3V, VS-E7SX0312-M3V, VS-E7SX0112HM3V, VS-E7SX0212HM3V y VS-E7SX0312HM3V servirán como diodos de bloqueo, amortiguadores y de rueda libre en fuentes de alimentación auxiliares de tipo flyback y rectificadores de alta frecuencia para la funcionalidad de controlador bootstrap, al tiempo que proporcionan protección contra la desaturación para los últimos IGBT de conmutación rápida y MOSFET de Si/SiC de alta tensión. Entre las aplicaciones típicas de estos dispositivos se incluyen los accionamientos y herramientas industriales, los cargadores integrados y los motores para vehículos eléctricos (VE), los sistemas de generación y almacenamiento de energía, así como los convertidores Ćuk y los circuitos SEPIC LED industriales.
Los rectificadores cuentan con una estructura plana y un control de vida útil mediante dopaje con platino que garantizan la fiabilidad y la robustez del sistema sin comprometer el rendimiento, mientras que su carga almacenada optimizada y su baja corriente de recuperación minimizan las pérdidas de conmutación y reducen la disipación de potencia. Estos dispositivos, que cumplen con la normativa RoHS y están libres de halógenos, presentan un nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) de 1 según la norma J-STD-020 y permiten un funcionamiento a altas temperaturas de hasta +175 °C.
