Este avance representa un salto significativo desde los 8800 MT/s del RCD Gen5 de Renesas, estableciendo un nuevo punto de referencia en el rendimiento de las interfaces de memoria para servidores de centros de datos.
Características clave del RCD DDR5 Gen6 de Renesas
- Aumento del ancho de banda del 10 % respecto al RCD Gen5 (9600 MT/s frente a 8800 MT/s)
- Compatibilidad con plataformas Gen5, permitiendo una actualización sencilla
- Mejor integridad de señal y eficiencia energética, ideales para cargas de trabajo de IA, HPC y LLM
- Arquitectura ampliada de ecualización de retroalimentación de decisión (DFE) con ocho niveles y granularidad de 1.5 mV para un ajuste de margen superior
- Motor de decisión y telemetría de señal (DESTM) para diagnósticos a nivel de sistema, visibilidad en tiempo real de la calidad de señal y retroalimentación a altas velocidades
Los nuevos módulos DDR5 RDIMM son esenciales para satisfacer la creciente demanda de ancho de banda de memoria en aplicaciones de inteligencia artificial (IA), computación de alto rendimiento (HPC) y centros de datos. Renesas ha desempeñado un papel clave en el diseño, desarrollo y despliegue de estos nuevos módulos, colaborando con líderes del sector, incluidos fabricantes de CPU y memoria, así como clientes finales.
Renesas continúa consolidando su liderazgo en controladores DDR5 RCD, aprovechando su experiencia en integridad de señal y optimización energética.
“El crecimiento explosivo de la IA generativa está impulsando una mayor cantidad de núcleos en los SoC, lo que genera una demanda sin precedentes de ancho de banda y capacidad de memoria”, declaró Sameer Kuppahalli, vicepresidente de la división de interfaces de memoria de Renesas. “Nuestro controlador de reloj DDR5 Gen6 demuestra el compromiso continuo de Renesas con la innovación y la entrega de soluciones que se anticipan a la demanda del mercado”.
“Samsung ha colaborado con Renesas a lo largo de múltiples generaciones de componentes de interfaz de memoria, incluyendo la calificación del Gen5 DDR5 RCD y el PMIC5030”, afirmó Indong Kim, vicepresidente de planificación de productos DRAM en Samsung Electronics. “Ahora estamos entusiasmados de integrar el Gen6 RCD en nuestros módulos DDR5 DIMM para diversas plataformas SoC, satisfaciendo las crecientes necesidades de IA, HPC y otras cargas intensivas de memoria”.
