más eficiencia a mayores velocidades y una densidad de potencia del sistema mejorada. Los dispositivos aprovechan una tecnología de FET de SiC cascode exclusiva en la que un JFET de SiC normalmente activado se empaqueta junto con un MOSFET de silicio para producir un FET de SiC normalmente desactivado. Los FET reducen la inductancia de los bucles de conexión internos compactos, lo que, junto con la conexión de origen Kelvin incluida, reduce la pérdida de conmutación, lo que permite un funcionamiento a mayor frecuencia y una densidad de potencia del sistema mejorada. Los FET están optimizados para aplicaciones como cargadores de a bordo, convertidores CC/CC de conmutación por software, carga de baterías y fuentes de alimentación de TI/servidor.

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