Mediante la implementación de una estructura de barrera de unión Schottky (JBS) mejorada, la serie TRSxxx120Hx permite una tensión de paso (VF) muy baja, de sólo 1,27 V (típica). El PiN-Schottky fusionado incorporado en una estructura JBS reduce las pérdidas del diodo en condiciones de corriente elevada. El TRS40N120H de la nueva serie admite una corriente continua de avance (IF(DC)) de 40 A (máx.) y una corriente pico directa no repetitiva (IFSM) de 270 A (max), siendo la temperatura máxima de carcasa (TC) de todos los dispositivos de +175 °C.

Combinados con la menor carga capacitiva y corriente de fuga, los productos ayudan a mejorar la eficiencia del sistema y simplifican el diseño térmico. Por ejemplo, a una tensión inversa (VR) de 1200 V, el diodo TRS20H120H alojado en el encapsulado TO-247-2L proporciona una carga capacitiva total (QC) de de 109 nC y una corriente inversa (IR) de 2 µA.

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