Die galvanische Trennung ermöglicht die Aktivierung der MOSFETs unter Hochspannungsbedingungen bis zu 2500 V. Die Struktur entspricht der Basisisolation für Betriebsspannungen von 250 V<sub>eff</sub> gemäß EN 61558-2-16 und gewährleistet eine Prüfspannung von 2500 V AC zwischen Primär- und Sekundärwicklung. In dieser Serie ist das V<sub>μs</sub>-Produkt um 70 % höher als in der bestehenden WE-GDT-Serie, wodurch eine schnelle Aktivierung der sekundären MOSFETs ermöglicht wird. Der EP7-Kern dient als Abschirmung gegen externe Magnetfelder und reduziert gleichzeitig sein eigenes abgestrahltes Magnetfeld, wodurch die elektromagnetische Strahlung in der Endanwendung minimiert wird.
Die WE-GDT Gate-Drive-Transformatoren sind ab sofort erhältlich. Sie verfügen über drei separate Wicklungen und bis zu fünf verschiedene Übersetzungsverhältnisse. Gerne senden wir Ihnen jederzeit kostenlose Muster zu.
