Mouser Electronics, Inc. bietet ab sofort die neuen GaNEXUS™ Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren (GaN-FETs) von onsemi an. GaNEXUS GaN-FETs nutzen die große Bandbreite von GaN und bieten dadurch Funktionen wie schnelles Schalten, reduzierte Ausgangs- und Gate-Belastung sowie verbesserte Effizienz für Anwendungen in den Bereichen KI, Rechenzentren, Robotik, Industrieautomation und Energieinfrastruktur.
Bei der Entwicklung galvanisch getrennter Kommunikations- und Signalerfassungsschaltungen für industrielle Anwendungen setzen die meisten Ingenieure immer noch auf Lösungen, die auf diskreten Bauteilen basieren: einem RS-485/CAN-Bus-Transceiver, einem digitalen Isolator und einem separaten isolierten Stromversorgungsmodul.
Die Nachfrage nach Niederspannungs-Takttreibern steigt aufgrund der rasanten Verbreitung fortschrittlicher FinFET-Prozessknoten in Hochleistungs-FPGAs und SoCs, KI-Beschleunigern und CPUs der nächsten Generation stetig. Leiterplattenentwickler stehen vor zunehmenden Herausforderungen, da standardmäßige 1,2-V-LVCMOS-Taktpuffer und Pegelwandlungspuffer, die Hochspannungs-Taktsignale auf die für diese fortschrittlichen Geräte erforderlichen niedrigeren Spannungspegel reduzieren können, nur begrenzt verfügbar sind.
Microchip Technology und Marelli kündigen eine neue Lösung an, die die Übertragung von Grafik- und Videoinhalten, die vom Bordcomputer des Fahrzeugs erzeugt werden, direkt auf die Displays des Fahrzeugs über ASA Motion Link (ASA-ML), einen offenen Standard für automobile Videokonnektivität, ermöglicht.
Nanopower Semiconductor hat den nPZ2100 vorgestellt, die neueste Ergänzung seiner nPZero™-Plattform für energiesparende integrierte Schaltungen (PSIC). Basierend auf der nPZero-Architektur ermöglicht der nPZ2100 den Betrieb von Sensorsystemen mit begrenzter Batterielebensdauer durch einen komplementären integrierten Schaltkreis mit extrem niedrigem Stromverbrauch
Nuvoton Technology hat angekündigt, dass die Massenproduktion der Batteriemonitoring-ICs KA49703A und KA49713A, die für in KI-Servern verwendete Batterie-Backup-Einheiten (BBU(*1)) optimiert sind, im September beginnen wird.
Mouser Electronics, Inc. bietet die Genio 420 IoT-Plattform von MediaTek an. Diese Lösung wurde für eingebettete Geräte entwickelt, die Rechenleistung, Konnektivität sowie künstliche Intelligenz (KI) und generative KI (GenAI) direkt auf dem Gerät vereinen müssen. Die Genio 420 ist speziell für Edge-Computing-Anwendungen konzipiert, bei denen die lokale Ausführung von Inferenzprozessen die Latenz reduziert und die Abhängigkeit von Cloud-Verarbeitungsdiensten verringert.
ROHM hat ein Terahertz-(THz)-Oszillationsgerät der zweiten Generation entwickelt, das auf Halbleiterelementen, sogenannten Resonanz-Tunneldioden (RTDs), basiert. ROHM bietet dieses Gerät über das Terahertz-Geräte-Evaluierungskit RTD-EVK-G2 an, das ein Prototypgerät, ein Kabel und eine Evaluierungsplatine umfasst.
Renesas Electronics Corporation hat seine Chipsatzlösungen der dritten Generation (Gen 3) für DDR5 Multiplexed Rank Dual In-Line (MRDIMM)-Speichermodule vorgestellt. Diese ermöglichen Server-Geschwindigkeiten von bis zu 16.000 Megatransfers pro Sekunde (MT/s). Die neuen Lösungen sind darauf ausgelegt, den steigenden Bedarf an höherer Speicherbandbreite in KI-Rechenzentren, Cloud-Infrastrukturen und bei beschleunigten Rechenlasten zu decken.
Da KI-Modelle immer größer werden und Rechenlasten zunehmend größere Datenmengen erfordern, stehen Systemarchitekten vor der wachsenden Herausforderung, höhere Speicherbandbreiten bereitzustellen, ohne die Kompatibilität mit bestehenden Serverplattformen zu beeinträchtigen. Die MRDIMM-Lösungen der dritten Generation von Renesas bieten eine um 25 % höhere Speicherbandbreite als ihre Lösungen der zweiten Generation und nutzen dabei weiterhin die bestehende DDR5-Infrastruktur. Dadurch können Serverplattformen eine höhere Leistung erzielen, ohne dass grundlegende Architekturänderungen erforderlich sind.
Renesas bietet weiterhin eine praxiserprobte, produktionsreife MRDIMM-Plattform an, die MRCDs, MDBs, Power-Management-ICs (PMICs), serielle Präsenzerkennungskonzentratoren (SPDs) und Temperatursensoren umfasst. Dieser Plattformansatz ermöglicht es Kunden, die MRDIMM-Leistung über Generationen hinweg zu skalieren, die Designkontinuität zu wahren und die Implementierung zu beschleunigen.
MRDIMM Gen 3 baut auf der bewährten MRDIMM-Architektur der Gen 2 auf und bietet erweiterte Leistung bei gleichbleibenden DIMM-Formfaktoren und Systemkompatibilität. Gen 3 verbessert zudem die Systemtransparenz und -stabilität, unter anderem durch eine Statusanzeige für den Device Equalization Self-Training Mode (DESTM). Dieser ermöglicht es Anwendern, Empfänger-Timing und EQ-Training präzise abzustimmen, um den Headroom zu maximieren.
Neben Leistungsverbesserungen wurden die Gen 3 MRDIMM-Lösungen von Renesas mit Blick auf Systemenergieeffizienz entwickelt. So können Kunden steigende Bandbreitenanforderungen mit den thermischen und Leistungsaufnahmebeschränkungen des Systems in Einklang bringen. Detaillierte Vergleiche des Stromverbrauchs finden Sie in der beiliegenden Produktdokumentation.
„AMD unterstützt seit Langem offene, standardbasierte Technologien, die Innovationen in Rechenzentren vorantreiben und mehr Flexibilität für die sich stetig weiterentwickelnden KI- und HPC-Workloads bieten“, so Amit Goel, Corporate Vice President Enterprise AI and Compute Platform Solutions Engineering bei AMD. „Innovationen bei Speicherformaten der nächsten Generation, wie MRDIMM und dem Renesas-Chipsatz, tragen maßgeblich dazu bei, dass die Branche höhere Bandbreite, gesteigerte Effizienz und kontinuierliche Plattform-Skalierbarkeit realisieren kann.“ „KI-Trainings- und Inferenz-Workloads definieren die Systemspeicheranforderungen für Rechenzentrumsinfrastrukturen grundlegend neu“, erklärt Sameer Kuppahalli, Vice President und General Manager der Memory Interfaces Division bei Renesas. „Um den enormen Anforderungen dieser Workloads an Speicherkapazität und -leistung gerecht zu werden, ist Renesas mit der Einführung der dritten Generation von Chipsatzkomponenten für MRDIMMs weiterhin branchenführend.“ Unsere Kunden nutzen die gesamte Palette der Renesas-Chipsatzkomponenten, um die Grenzen von Speicherleistung und -kapazität kontinuierlich zu erweitern.“
Mouser Electronics, Inc. hat ab sofort die 6-Achsen-Inertialmesseinheit (IMU) ASM330LHHG1 von STMicroelectronics auf Lager. Der Sensor ASM330LHHG1 verfügt über ein 3-Achsen-Digitalgyroskop und einen 3-Achsen-Digitalbeschleunigungsmesser und arbeitet in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 bis +125 °C.
GigaDevice hat die Markteinführung seiner neuen GD24CL-Serie von I²C-EEPROM-Speichern bekannt gegeben. Diese neue Produktfamilie bietet herausragende Leistung, umfassende Sicherheitsmechanismen und exzellente Zuverlässigkeit und erfüllt damit die hohen Anforderungen an die stabile Langzeitspeicherung kritischer Konfigurationsdaten.
Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt die Hochgeschwindigkeits-Differenzsignal-Multiplexer (MUX) und -Demultiplexer (DEMUX) TDS5B212MX vor. Die neuen Produkte eignen sich für Server, industrielle Testgeräte, Roboter und ähnliche Anwendungen und unterstützen Hochgeschwindigkeitsschnittstellen wie PCIe® 6.0 und USB4® Version 2.0.
Analog Devices, Inc. hat bekannt gegeben, dass sein A²B 2.0 (Automotive Audio Bus) nun serienreif ist. Als Weiterentwicklung der A²B-Technologie von ADI ist A²B 2.0 darauf ausgelegt, Erstausrüster (OEMs) und Tier-1-Zulieferer in der Automobilindustrie zu unterstützen….
Maxim Integrated Products, Inc. hat den Class-D/G-Lautsprecherverstärker MAX98396 vorgestellt, der sich durch branchenweit niedrigstes Rauschen und geringsten Standby-Stromverbrauch auszeichnet. Der digitale Audio-Leistungsverstärker mit 20-V-Eingang liefert im Standby-Betrieb 12,7 mW und erfüllt und übertrifft damit die Anforderungen….
Melexis erweitert sein Angebot an integrierten Schaltungen (ICs) zur magnetischen Sensorik um eine Dual-Mold-Package-Variante (DMP) des MLX90425. Dieses neue Bauteil behält die Gehäusekompatibilität mit den etablierten ICs MLX90364 und MLX90421 bei
Auf der PCIM in Nürnberg vom 10. bis 12. Mai 2016 präsentiert ROHM Semiconductor seine neuesten Innovationen im Bereich der Stromversorgung für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und hohe Leistungsfähigkeit und erfüllt gleichzeitig den Bedarf an größerer Energieeinsparung...
Mitsubishi Electric hat die sechste Generation seiner MPD-IGBT-Module (Mega Power Dual) vorgestellt. Diese Module, die für den Einsatz in Stromrichtern wie Photovoltaik- und Windkraftanlagen mit hoher Kapazität konzipiert wurden, eignen sich auch für andere Hochleistungsanwendungen.
Intelligente Fabriken weltweit nutzen fortschrittliche Automatisierungsanwendungen wie Augmented Reality, autonome mobile Roboter, Cobots und industrielle Sensoren. Auch jenseits der traditionellen Produktionshalle schreitet die Automatisierung in Bereichen wie … rasant voran.
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