Renesas Electronics hat den TP65H020G4PLSGBD vorgestellt, ein 650-V-GaN-Bauelement, das für hochdichte Leistungswandlungssysteme entwickelt wurde, die in 800-V-HGÜ-Architekturen für KI-Rechenzentren eingesetzt werden.
ROHM hat den RS4P063BPHZG entwickelt, einen 100-V-MOSFET, der für sicherheitsrelevante Funktionen und Schutzschaltungen in der Automobilindustrie optimiert ist. Das neue Produkt bietet einen branchenführenden* großen sicheren Arbeitsbereich (SOA) über einen breiten Spannungsbereich im Standardgehäuse HPLF5060 (Baugröße 5060), das in Automobilanwendungen weit verbreitet ist.
ROHM hat 650-V-IGBTs der 4. Generation entwickelt, die sich ideal für elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen im Automobilbereich sowie für Wechselrichter in Industrieanlagen eignen. Als Produkte der 650-V-Klasse in Automobilqualität
ROHM hat eine neue Reihe von 600-V-Superconnect-MOSFETs entwickelt: die Serien R60xxXNx und R60xxWNx. Im Bereich der Rechenzentren und Industrieanlagen steigt der Leistungsbedarf mit zunehmender Rechenlast kontinuierlich an, was die Nachfrage nach effizienteren Netzteilen zur Reduzierung von Energieverbrauch und Wärmeentwicklung deutlich erhöht.
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat den TPM1R408RH vorgestellt, einen 80-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf der neuesten U-MOS11-H-Prozesstechnologie des Unternehmens basiert. Er wurde für hocheffiziente industrielle Schaltnetzteile für Rechenzentrumsausrüstung und Kommunikationsbasisstationen entwickelt
Zeitmesssysteme für Raumfahrzeuge müssen hochstabile und genaue Signale für Navigations-, Kommunikations- und wissenschaftliche Instrumente liefern, selbst wenn GNSS-Signale schwach oder nicht verfügbar sind.
NOVOSENSE Microelectronics hat die Markteinführung der SP301H/L-Serie angekündigt, einer Familie von dreikanaligen digitalen Isolatoren, die auf der patentierten kapazitiven Isolationstechnologie der dritten Generation basieren.
Navitas Semiconductor hat die Markteinführung seines neuen UHV-TO-247-4-ISO-Gehäuses bekannt gegeben und damit einen neuen Maßstab für diskrete Hochleistungs-Leistungshalbleiter gesetzt. Mit einem Leckstromabstand von über 12 mm zwischen den Pins und einer integrierten Isolation von über 6000 V,
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat zwei kompakte, vierkanalige, mittelschnelle und stromsparende Standard-Digitalisolatoren auf den Markt gebracht, die für Industrieanlagen und Unterhaltungselektronik bestimmt sind.
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat ihr Angebot an N-Kanal-Leistungs-MOSFETs um neun neue Komponenten in drei verschiedenen kleinen Gehäusen mit hoher Wärmeableitung erweitert.
Vishay Intertechnology, Inc. hat seine Gen 7-Plattform von 1200-V-FRED-Pt®-Hyperfast-Gleichrichtern um sechs neue Bausteine der eSMP®-Serie im SMPC-HV-Gehäuse erweitert. Die für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie und die Energieversorgung optimierten 1-A-, 2-A- und 3-A-Gleichrichter bieten nicht nur die beste Balance zwischen Rückladestrom (Qrr)
ROHM hat die AG16xFNxx-Serie entwickelt, eine Reihe von 80-V-Leistungs-MOSFETs für 48-V-Bordnetze, die in Automobilanwendungen immer häufiger zum Einsatz kommen. Im Automobilsektor steigt der Leistungsbedarf, insbesondere bei Fahrzeugen der Oberklasse.
Renesas Electronics hat den TP65H020G4PLSGBD vorgestellt, ein 650-V-GaN-Bauelement, das für hochdichte Leistungswandlungssysteme entwickelt wurde, die in 800-V-HGÜ-Architekturen für KI-Rechenzentren eingesetzt werden.
ROHM hat den RS4P063BPHZG entwickelt, einen 100-V-MOSFET, der für sicherheitsrelevante Funktionen und Schutzschaltungen in der Automobilindustrie optimiert ist. Das neue Produkt bietet einen branchenführenden* großen sicheren Arbeitsbereich (SOA) über einen breiten Spannungsbereich im Standardgehäuse HPLF5060.
ROHM hat 650-V-IGBTs der 4. Generation entwickelt, die sich ideal für elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen im Automobilbereich sowie für Wechselrichter in Industrieanlagen eignen. Als Produkte der 650-V-Klasse in Automobilqualität
ROHM hat eine neue Reihe von 600-V-Superconnect-MOSFETs entwickelt: die Serien R60xxXNx und R60xxWNx. Im Bereich der Rechenzentren und Industrieanlagen steigt der Leistungsbedarf mit zunehmender Rechenlast kontinuierlich an und treibt so den Energiebedarf stark an.
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat den TPM1R408RH vorgestellt, einen 80-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf der neuesten U-MOS11-H-Prozesstechnologie des Unternehmens basiert. Er wurde für hocheffiziente industrielle Schaltnetzteile für Rechenzentrumsausrüstung entwickelt….
Zeitmesssysteme für Raumfahrzeuge müssen hochstabile und genaue Signale für Navigations-, Kommunikations- und wissenschaftliche Instrumente liefern, selbst wenn GNSS-Signale schwach oder nicht verfügbar sind.
NOVOSENSE Microelectronics hat die Markteinführung der SP301H/L-Serie angekündigt, einer Familie von dreikanaligen digitalen Isolatoren, die auf der patentierten kapazitiven Isolationstechnologie der dritten Generation basieren.
Navitas Semiconductor hat die Markteinführung seines neuen UHV-TO-247-4-ISO-Gehäuses bekannt gegeben und damit einen neuen Maßstab für diskrete Hochleistungs-Leistungshalbleiter gesetzt. Mit einem Leckstromabstand von über 12 mm zwischen den Pins und einer integrierten Isolation von über 6000 V,
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat zwei kompakte, vierkanalige, mittelschnelle und stromsparende Standard-Digitalisolatoren auf den Markt gebracht, die für Industrieanlagen und Unterhaltungselektronik bestimmt sind.
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