Würth Elektronik erweitert sein Angebot an digitalen Isolatoren (WPME-CDIS & WPME-CDIP) um zweikanalige bidirektionale Isolatoren für I²C-Kommunikationsschnittstellen. Der WPME-CDI2C ermöglicht bidirektionale Übertragung bis zu 2 MHz und eignet sich somit für die meisten I²C-Kommunikationsanwendungen.
Farnell hat sich mit Littelfuse zusammengetan, um Kunden ein umfassendes Angebot für alle ihre Projektanforderungen zu bieten. Das Produktsortiment von Farnell umfasst Sicherungen, Leistungsschalter, Überspannungsschutzgeräte, TVS-Dioden, Thyristoren, Dioden, MOSFETs, IGBTs, Gate-Treiber, Leistungsmodule, Schalter und Sensoren.
NXP Semiconductors NV hat zwei neue Prozessorfamilien angekündigt, die die Vorteile der innovativen S32-Automobilplattform von NXP durch leistungsstarke, sichere Echtzeitverarbeitung erweitern. Die Prozessorfamilien S32Z und S32E unterstützen die Automobilindustrie bei der beschleunigten Integration verschiedener Echtzeitanwendungen für Domänen- und Zonensteuerung, Sicherheitsverarbeitung und Fahrzeugelektrifizierung – allesamt essenziell für die nächste Generation sichererer und effizienterer Fahrzeuge.
Mouser führt jetzt die 1200-V-Siliziumkarbid-FETs (SiC) UF4C und UF4SC von UnitedSiC (jetzt Qorvo®). Diese Bauelemente der vierten Generation, Teil der umfangreichen Produktlinie leistungsstarker SiC-FETs, zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus
Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat vier weitere 650-V-N-Kanal-Superjunction-Leistungs-MOSFETs in ihre DTMOSVI-Serie aufgenommen. Aufbauend auf dem Erfolg der bestehenden Bausteine werden die neuen Bausteine vorwiegend in Anwendungen wie Industrie- und Beleuchtungsnetzteilen sowie in anderen Anwendungen eingesetzt, die höchste Effizienz bei kompakter Bauform erfordern.
KIOXIA Europe GmbH hat die Auslieferung von Mustern ihrer neuesten Generation von 256 und 512 Gigabyte (GB) großen Universal Flash Storage (UFS) Embedded-Flash-Speichergeräten, Version 3.1, angekündigt. Die neuen Produkte sind in 0,8 und 1,0 mm hohen Gehäusen untergebracht und verbessern die Leistung um 30 % bei zufälligen Lese- und um 40 % bei zufälligen Schreibvorgängen [1]
Die Toshiba Electronics Europe GmbH erweitert ihr Portfolio an optoelektronischen Produkten um das Fotorelais TLP4590A. Das in einem kompakten DIP6-Gehäuse erhältliche Relais bietet Ingenieuren eine praktischere und zuverlässigere Alternative zu herkömmlichen mechanischen Relais. Dieses Fotorelais vom Typ 1-Form-B (normalerweise geschlossen) leitet einen Strom von 1,2 A, was einer Verbesserung von 140 % gegenüber dem Vorgängermodell TLP4176A entspricht. Die Ausgangsspannung beträgt im Ruhezustand 60 V. Die hohe Empfindlichkeit wird durch den geringen LED-Triggerstrom von maximal 2 mA erzielt.
Die Silizium-Feldeffekttransistor-Technologie (FET) ist seit Jahrzehnten die bevorzugte Wahl in zahlreichen Leistungsanwendungen. In dieser Zeit haben die Hersteller bedeutende Fortschritte bei der Reduzierung des Einschaltwiderstands und der Verbesserung der Durchbruchspannung erzielt, wodurch Verluste verringert und Sicherheitsmargen erhöht wurden.
RC Microelectrónica, Vertriebspartner von Vishay Intertechnology für Spanien und Portugal, bietet eine komplette Familie von SiC-Schottky-Dioden mit einer Durchbruchspannung von 650 V im einteiligen 2L TO-220AC Through-Hole-Gehäuse oder im Doppelgehäuse im TO-247AD 3L THT-Format in Common-Cathode-Konfiguration an.
Nexperia hat die erste Familie von 80-V-Transistoren mit integrierten Widerständen vorgestellt. Diese neuen RETs, auch „digitale Transistoren“ genannt, bieten ausreichend Spielraum für den Einsatz in 48-V-Automobilplatinen (z. B. in Mittelklasse-Hybridfahrzeugen und Elektrofahrzeugen) sowie in anderen Hochspannungsschaltungen, die häufig hohen Spannungsspitzen und -impulsen ausgesetzt sind, welche mit bisherigen 50-V-Komponenten nicht bewältigt werden konnten.
Nexperia bietet das branchenweit breiteste Portfolio an diskreten Bauteilen in Automobilqualität in platzsparenden, thermisch effizienten und AOI-kompatiblen DFN-Gehäusen (Discrete Flat No Leads). Das verfügbare AEC-Q101-Bauteilsortiment deckt alle Produktgruppen von Nexperia ab und umfasst Schalt-, Schottky-, Zener- und Schutzdioden, Bipolartransistoren (BJTs), N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, Widerstandstransistoren und LED-Treiber.
SMART Modular Technologies, Inc., eine Tochtergesellschaft von SMART Global Holdings, Inc., stellte auf dem Flash Memory Summit 2019 in Santa Clara, Kalifornien, drei neue SSD-Produktfamilien vor.
Würth Elektronik erweitert sein Angebot an digitalen Isolatoren (WPME-CDIS & WPME-CDIP) um einen bidirektionalen 2-Kanal-Isolator für I²C-Kommunikationsschnittstellen. Der WPME-CDI2C ermöglicht bidirektionale Übertragung bis zu 2 MHz und eignet sich damit für die meisten Anwendungen.
Farnell hat sich mit Littelfuse zusammengetan, um Kunden ein umfassendes Angebot für alle ihre Projektanforderungen zu bieten. Das Produktsortiment von Farnell umfasst unter anderem Sicherungen, Leitungsschutzschalter, Überspannungsschutzgeräte, TVS-Dioden, Thyristoren, Dioden, MOSFETs und IGBTs.
NXP Semiconductors NV hat zwei neue Prozessorfamilien angekündigt, die die Vorteile der innovativen S32-Automobilplattform von NXP durch sichere, leistungsstarke Echtzeitverarbeitung erweitern. Die Prozessorfamilien S32Z und S32E unterstützen die Automobilindustrie….
Mouser führt jetzt die 1200-V-Siliziumkarbid-FETs (SiC) UF4C und UF4SC von UnitedSiC (jetzt Qorvo®). Diese Bauelemente der vierten Generation, Teil der umfangreichen Produktlinie leistungsstarker SiC-FETs, zeichnen sich durch ihre hohe Lebensdauer aus….
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat vier weitere 650-V-N-Kanal-Superjunction-Leistungs-MOSFETs zur Erweiterung ihrer DTMOSVI-Serie auf den Markt gebracht. Die neuen Bausteine bauen auf dem Erfolg der bestehenden Produkte auf und werden vorwiegend in folgenden Bereichen eingesetzt: ….
KIOXIA Europe GmbH hat die Auslieferung von Mustern ihrer neuesten Generation von 256 und 512 Gigabyte (GB) großen Universal Flash Storage (UFS) Embedded-Flash-Speichergeräten, Version 3.1, bekanntgegeben. Die neuen Produkte sind in 0,8 und 1,0 mm hohen Gehäusen untergebracht und bieten Verbesserungen gegenüber….
Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat ihr Portfolio an optoelektronischen Produkten um das Fotorelais TLP4590A erweitert. Das im kompakten DIP6-Gehäuse erhältliche Relais bietet Ingenieuren eine praktischere und zuverlässigere Alternative zu herkömmlichen mechanischen Relais. Dieses 1-Form-B-Fotorelais (typischerweise...
Die Silizium-Feldeffekttransistor-Technologie (FET) wird seit Jahrzehnten in zahlreichen Leistungsanwendungen bevorzugt eingesetzt. In dieser Zeit haben die Hersteller große Fortschritte bei der Reduzierung des Einschaltwiderstands und der Verbesserung der Durchbruchspannung erzielt.
RC Microelectrónica, Vertriebspartner von Vishay Intertechnology für Spanien und Portugal, bietet eine komplette Familie von SiC-Schottky-Dioden mit einer Durchbruchspannung von 650 V im einteiligen 2L TO-220AC Through-Hole-Gehäuse oder im Doppelgehäuse im TO-247AD 3L THT-Format in Common-Cathode-Konfiguration an.
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