Der PLTT-Widerstand bietet mit seinem breiten Betriebstemperaturbereich (-55 °C bis +215 °C) eine Erweiterung um fast 100 °C gegenüber herkömmlichen Dünnschicht-Chipwiderständen. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Temperaturkoeffizienten (TCR) von ±5 ppm/°C, Toleranzen bis zu ±0,02 %, ein sehr geringes Rauschen von <-35 dB und niedrige Spannungskoeffizienten von 0,1 ppm/V aus. Der PLTT-Widerstand ist für Belastbarkeiten von 250 mW bis 1000 mW und einen Betriebsspannungsbereich von 100 V bis 200 V ausgelegt.
Mit Schichtstabilitätseigenschaften und einer Leistung von 500 ppm bei +215°C über 2000 Stunden ist der Widerstand für die rauscharme Einzelsignalverarbeitung optimiert, die erforderlich ist, um geringe Verschiebungen und thermische Drift in Hochtemperaturumgebungen, wie sie beispielsweise bei der Öl- und Gasexploration, der Telekommunikation und in Industrieanlagen vorkommen, zu kompensieren.
Das PLTT verfügt über ein hochreines Keramiksubstrat, 10–20 µm dicke, vergoldete Anschlüsse über einer Nickelbarriere für Hochtemperaturlöten (HMP) und ein optimiertes Passivierungsverfahren (SPM) für Korrosionsbeständigkeit. Es ist RoHS-konform (2002/95/EG), halogenfrei gemäß EN 61249-2-21 und flammwidrig gemäß UL 94 V-0.
