EPROMs und EEPROMs:
Der ursprüngliche PROM (Programmable Read-Only Memory) wurde 1967 bei den Bell Labs vorgeschlagen und 1971 von Intel entwickelt. Dreißig Jahre später werden EPROMs und EEPROMs immer noch in unzähligen Designs eingesetzt.
Flash-Speicher:
Nach seiner Einführung 1980 entwickelte sich der Flash-Speicher in zwei verschiedene Technologien. Die ursprüngliche NOR-Flash-Technologie ermöglichte einen einfachen und zuverlässigen Zugriff auf alle Speicherzellen, während die alternative NAND-Flash-Technologie höhere Speicherdichten und geringere Kosten bot.
SRAM-Speicher
: SRAM-Speicher wurde 1963 bei Fairchild Semiconductor als Weiterentwicklung der CMOS-Forschung von IBM aus dem Jahr 1959 erfunden, die 1969 zur Einführung des Intel 3101 SRAM führte. Seitdem wird er von Herstellern wie Infineon, ISSI und Renesas eingesetzt.
DRAM-Speicher:
Die Entwicklung von DRAM war der Beginn eines kontinuierlichen Verbesserungsprozesses, der bis heute anhält. 1970 ging Honeywell eine Partnerschaft mit Intel ein, um einen Drei-Transistor-Zellen-DRAM zu entwickeln, woraus das erste kommerziell erhältliche Gerät, der 1-kbit Intel 1103, entstand. Die DRAM-Technologie entwickelte sich über EDO, Fast Page, SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4 und die aktuelle DDR5-Technologie sowie stromsparende Versionen all dieser Varianten weiter.
Rochester bietet in Partnerschaft mit SkyHigh Memory Ltd. eine kontinuierliche Versorgung mit ausgereiften NAND-Speicherlösungen mit niedriger Speicherdichte. Wir konzentrieren uns auf etablierte Halbleitertechnologien und sind für das Produktlebenszyklusende (EOL) vollständig autorisiert. SkyHigh ist auf NAND-Speicherlösungen in SLC und eMMC spezialisiert. Dank dieser gebündelten Kompetenzen erfüllen wir die Speicheranforderungen unserer Kunden weltweit.
Rochester bietet Lagerbestände in zwei wichtigen DRAM-Technologien an: SDRAM und DDR3. Dank unserer Partnerschaft mit ISSI haben unsere gemeinsamen Kunden Zugriff auf DRAM, das Standard-Sync-DRAM, DDR, DDR2, DDR3 und DDR4 sowie RLDRAM2 mit niedriger Latenz umfasst, mit einer Bandbreite an DRAM-Dichten von 16 Mb bis 4 Gb, abhängig von der Technologie.
