Daher eignen sie sich ideal für Netzteile in energieintensiven Serverinfrastrukturen für künstliche Intelligenz (KI), Telekommunikationsgeräten und Solarwechselrichteranwendungen.
Diese neuen Schottky-Dioden bieten dank ihres temperaturunabhängigen kapazitiven Schaltverhaltens und des Null-Erholungsverhaltens eine herausragende Leistung und erzielen einen außergewöhnlichen Güteindex (QC x VF). Darüber hinaus weisen sie ein Schaltverhalten auf, das nahezu vollständig unabhängig von Stromschwankungen und Schaltgeschwindigkeit ist. Die Fused-PiN-Schottky-Struktur (MPS) dieser Bauelemente bietet zusätzliche Vorteile, wie beispielsweise eine außergewöhnliche Robustheit gegenüber Stoßströmen, die sich in ihrem hohen Vorwärtsspitzenstrom (IFSM) widerspiegelt. Diese Eigenschaft reduziert den Bedarf an zusätzlichen Schutzschaltungen, senkt die Systemkomplexität deutlich und ermöglicht es Entwicklern, durch kleinere Bauformen in robusten Hochspannungsanwendungen eine höhere Effizienz zu erzielen.
Der PSC20120J ist in einem Real-2-Pin D2PAK R2P (TO-263-2) SMD-Leistungsgehäuse aus Kunststoff gefertigt, während der PSC20120L in einem Real-2-Pin TO-247 R2P (TO-247-2) Durchsteck-Leistungsgehäuse aus Kunststoff untergebracht ist. Diese thermisch stabilen Gehäuse verbessern die Zuverlässigkeit der Bauelemente in Hochspannungsanwendungen bei Betriebstemperaturen bis zu 175 °C. Entwickler können sich dank Nexperias Ruf als etablierter Hersteller hochwertiger Halbleiterprodukte für ein breites Spektrum an Halbleitertechnologien und der damit verbundenen robusten Lieferkette zusätzlich auf die Zuverlässigkeit verlassen.
