El rendimiento probado y la fiabilidad de la tecnología GaN lo convierten en una opción ideal para aplicaciones de infraestructura, defensa y aeroespaciales, como radar, comunicaciones, navegación y aplicaciones similares. Las capacidades de rendimiento aumentadas ofrecen a los diseñadores la flexibilidad de reducir el espacio de la placa y los costes del sistema al tiempo que mejoran el rendimiento del sistema.
Qorvo QPD1025L, disponible en Mouser Electronics, es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) que admite funcionamiento de onda continua y pulsada (CW) para ofrecer de manera más eficiente el rendimiento comparable a los dispositivos LDMOS basados en silicio. Alimentado desde un rail de 65 V, el dispositivo ofrece una ganancia lineal de 22.5 dB y una eficiencia de potencia típica (PAE3dB) del 77,2%. El transistor QPD1025L presenta una entrada interna prematura, lo que simplifica la compatibilidad de la placa externa y ahorra espacio en la placa.
El transistor sin plomo, compatible con RoHS es compatible con la placa de evaluación QPD1025L.
