Ces semi-conducteurs à haut rendement permettent des performances à haute fréquence pour des applications telles que les véhicules électriques, les dispositifs de charge rapide, l'électronique grand public, les énergies renouvelables et les solutions industrielles. Les circuits intégrés de puissance GaNFast permettent des fréquences de commutation six fois supérieures à celles des solutions GaN discrètes, ce qui se traduit par des économies d'énergie accrues et une réduction de la taille et du poids du système. Les circuits intégrés de puissance GaNFast sont faciles à utiliser et compatibles avec une large gamme de topologies et de contrôleurs courants.
Les circuits intégrés de puissance GaNFast, dotés de la technologie GaNSense, intègrent des circuits de détection et de protection autonomes et fonctionnant en temps réel, renforçant ainsi la fiabilité et la robustesse déjà reconnues de Navitas. Ces solutions révolutionnaires en boîtier unique réduisent le nombre de composants et l'encombrement par rapport aux systèmes discrets existants, diminuant ainsi le coût, la taille, le poids et la complexité du système.
