Fondée en 1994, GTAT possède une expertise dans la croissance cristalline, notamment du SiC. Le SiC est un matériau clé pour les semi-conducteurs de nouvelle génération, offrant des avantages techniques dans les dispositifs de commutation de puissance en SiC et améliorant considérablement l'efficacité des systèmes dans les véhicules électriques (VE), la recharge des VE et l'infrastructure énergétique.