Les dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) sont de plus en plus utilisés dans les chargeurs embarqués et les convertisseurs CC/CC pour véhicules. Ces dispositifs offrent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs de puissance à base de silicium, tels que les IGBT. Parmi les principaux atouts, on note des pertes nettement inférieures lors de la commutation et de la conduction, ainsi que la possibilité de fonctionner à des températures plus élevées.
Depuis 2017, ROHM et LEADRIVE collaborent et mènent des échanges techniques approfondis sur les applications automobiles utilisant des composants de puissance en carbure de silicium (SiC). La création d'un laboratoire de recherche commun, dédié aux modules de puissance et aux onduleurs pour véhicules utilisant les MOSFET SiC nus et les circuits de commande de grille isolés de ROHM, permettra aux deux entreprises d'accélérer le développement de solutions de puissance innovantes.
« L’adoption de modules de puissance intégrant des puces SiC pour les véhicules à énergies nouvelles deviendra une tendance majeure du secteur dans les années à venir. La commercialisation de dispositifs SiC matures, grâce à la mise en commun des ressources mondiales et à la réalisation d’efforts de R&D, nous confère un avantage concurrentiel en tant que constructeur automobile de premier plan », a déclaré le Dr Jie Shen, président-directeur général de Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. « ROHM est un partenaire solide depuis la création de LEADRIVE. Ce laboratoire de recherche commun nous permettra d’approfondir notre collaboration », a-t-il ajouté.
« En tant que pionnier et fournisseur leader de dispositifs de puissance en SiC, ROHM a fait ses preuves en fournissant des solutions d'alimentation de haute qualité qui combinent une technologie de pointe avec des circuits de contrôle intégrés. Nous sommes déterminés à promouvoir l'utilisation du SiC pour les applications xEV », ajoute le Dr Kazuhide Ino, membre du conseil d'administration, directeur général, directeur scientifique et directeur principal de la division Dispositifs de puissance chez ROHM Co., Ltd. « Comprendre les besoins des clients et les tendances du marché est essentiel au développement de la technologie des dispositifs de puissance en SiC. LEADRIVE joue un rôle majeur dans la recherche appliquée sur le SiC en tant que fabricant de modules de puissance et d'onduleurs pour l'industrie automobile. Grâce à ce laboratoire de recherche commun, nous pouvons renforcer notre partenariat et contribuer à l'innovation technique des solutions d'alimentation automobile centrées sur le SiC », conclut le Dr Ino.
Aperçu de la terminologie :
IGBT (Transistor bipolaire à grille isolée) :
Un transistor de puissance qui combine les caractéristiques de commutation à haute vitesse d'un MOSFET avec les faibles pertes de conduction d'un transistor bipolaire.
Pertes par commutation et par conduction :
Les pertes sont inévitables dans les transistors tels que les MOSFET et les IGBT en raison de leur structure particulière. Les pertes par commutation surviennent lors du changement d'état de conduction du composant (pendant la commutation). Ces pertes par conduction sont dues à la résistance interne lorsque le courant circule (état passant) dans le composant.
MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) :
Structure la plus couramment utilisée dans les transistors à effet de champ. Ils sont souvent employés comme éléments de commutation.
