Connus sous la référence TRSxxx65H, ces nouveaux dispositifs utilisent un nouveau métal Schottky. La puce SiC SBD de 3e génération optimise la structure de la barrière de jonction Schottky (JBS) des produits de 2e génération, réduisant ainsi le champ électrique à l'interface Schottky et le courant de fuite, ce qui se traduit par une efficacité accrue.
Les composants de 3e génération présentent une excellente tension directe (VF) de 1,2 V (typ.). Cela représente une réduction de 17 % par rapport aux produits de 2e génération. Ces nouveaux composants de 3e génération améliorent le décalage entre la VF et la charge capacitive totale (QC), qui est typiquement de 17 nC pour le TRS6E65H.
Le rapport tension/courant inverse (IR) a également été amélioré par rapport aux produits de 2e génération, le TRS6E65H atteignant une valeur IR typique de 1,1 µA. Toutes ces améliorations réduisent la dissipation de puissance et contribuent à une efficacité accrue des équipements destinés aux utilisateurs finaux.
Les dispositifs de la série TRSxxx65H sont capables de résister à des courants directs continus (IF(DC)) jusqu'à 12 A et à des courants de surtension à onde carrée non répétitive (IFSM) jusqu'à 640 A. Sept des nouveaux dispositifs sont logés dans des boîtiers TO-220-2L, tandis que les cinq autres sont fournis dans des boîtiers SMD DFN8×8 plats et compacts.
