La sécurité des batteries lithium-ion est renforcée par des circuits de protection robustes qui minimisent la génération de chaleur lors des cycles de charge et de décharge. Pour garantir les performances de charge requises, ces circuits doivent présenter une faible consommation d'énergie. Compte tenu de la compacité de ces solutions, les MOSFET appropriés doivent être petits et fins, tout en offrant une faible résistance de jonction.
Le nouveau convertisseur SSM14N956L de 20 A est conçu pour une tension source-à-source (VSSS) de 12 V et utilise le microprocesseur Toshiba, tout comme le SSM10N954L de 13,5 A précédemment commercialisé. Ceci garantit d'excellentes caractéristiques de faible résistance à l'état passant (RSS(ON)), de l'ordre de 1 mΩ, limitant ainsi les pertes par conduction. De plus, le procédé de fabrication assure un faible courant de fuite grille-source (IGSS) de ±1 µA (max.), permettant une faible consommation d'énergie en mode veille. L'ensemble de ces caractéristiques contribue à une autonomie accrue de la batterie entre les charges.
Afin de s'adapter à l'espace limité disponible dans ces applications, le nouveau SSM14N956L est conçu comme un boîtier à l'échelle de la puce, connu sous le nom de TCSPED-302701. Ses dimensions ne sont que de 2,74 mm x 3,0 mm, avec une hauteur typique de seulement 0,085 mm.
