Basé sur l'architecture propriétaire du transistor à jonction bipolaire bidirectionnelle (B-TRAN®), le nouveau composant offre des capacités de commutation bidirectionnelle natives et une chute de tension de conduction extrêmement faible, permettant le développement de systèmes plus compacts et efficaces par rapport aux solutions conventionnelles basées sur des MOSFET ou des IGBT.
Pertes réduites et rendement accru.
L'une des caractéristiques les plus remarquables de ce nouveau dispositif est sa tension de saturation de conduction ultra-faible, avec des valeurs typiques de seulement 0,56 V à 70 A et 25 °C, un atout particulièrement important pour les applications où le courant circule pendant de longues périodes.
Cette chute de tension réduite se traduit directement par des pertes thermiques moindres et une amélioration substantielle du rendement global du système. Dans les applications impliquant la déconnexion de batteries, les contacteurs électroniques ou les commutateurs statiques, où le temps de conduction est souvent bien supérieur au temps de commutation, les économies d'énergie peuvent être considérables.
Commutation bidirectionnelle intégrée :
contrairement aux autres technologies d’alimentation qui nécessitent plusieurs dispositifs pour bloquer et conduire le courant dans les deux sens, le B-TRAN® intègre nativement cette fonctionnalité. Ceci permet de réduire le nombre de composants, de simplifier la topologie d’alimentation et de diminuer la taille et le coût de certains systèmes électroniques.
Sa capacité de blocage atteint 1 200 V, tandis que son courant nominal est de 75 A, avec une capacité à supporter des impulsions jusqu’à 300 A, ce qui étend son utilisation aux applications industrielles exigeantes.
Conception optimisée pour une densité de puissance élevée.
Le composant est fourni en boîtier TO-264 isolé avec refroidissement double face, une configuration conçue pour maximiser la dissipation thermique et faciliter les conceptions à haute densité de puissance. La résistance thermique jonction-boîtier est comprise entre 0,10 et 0,12 K/W, contribuant à une gestion thermique plus efficace.
De plus, le B-TRAN® présente un coefficient de température positif, une caractéristique qui simplifie le raccordement en parallèle de plusieurs composants et favorise une distribution uniforme du courant entre eux.
Applications cibles
: Ideal Power positionne cette nouvelle génération de B-TRAN® pour les applications où l’efficacité et la fiabilité sont primordiales, notamment :
disjoncteurs statiques CC, disjoncteurs statiques CA, systèmes de déconnexion de batteries, contacteurs électroniques CC et
inverseurs
de source automatiques.
Ces
applications
revêtent une importance particulière dans des secteurs tels que le stockage d’énergie, les infrastructures d’énergies renouvelables, les centres de données, les micro-réseaux, la mobilité électrique et les systèmes de distribution d’énergie industrielle.
Vers une nouvelle génération de disjoncteurs statiques :
le lancement du modèle IPAD01208A04 marque une nouvelle étape dans la stratégie d’Ideal Power visant à favoriser l’adoption de la technologie B-TRAN® sur les marchés où l’efficacité énergétique et la réduction des pertes sont essentielles.
Avec une fréquence de fonctionnement jusqu’à 10 kHz, une faible inductance et capacité parasites, et une architecture optimisée pour une commutation statique à haut rendement, ce nouveau dispositif constitue une solution innovante pour le développement de la prochaine génération de systèmes de protection et de contrôle de l’énergie.
Fiche technique récapitulative
Technologie : B-TRAN® (transistor bipolaire à jonction bidirectionnelle)
Tension de blocage : 1200 V
Courant nominal : 75 A
Courant de crête : 300 A
Température de jonction maximale : 150 °C
Boîtier : TO-264 isolé
Refroidissement : double face
Fréquence de commutation : jusqu’à 10 kHz
Applications : interrupteurs statiques, contacteurs CC, déconnexion de batterie et systèmes de transfert automatique.
