Les constructeurs automobiles (OEM) subissent une pression croissante pour atteindre les objectifs d'électrification, tandis que le coût, la sécurité, l'autonomie et la disponibilité des infrastructures de recharge constituent des freins à l'adoption généralisée des véhicules électriques par les consommateurs. La technologie Gen 5 de Wolfspeed a été conçue pour répondre à ces obstacles et établit une nouvelle référence en matière de résistance spécifique à l'état actif (RSP), un indicateur clé d'efficacité lié à la surface active d'un MOSFET. Les produits Gen 5 permettent aux architectes système de concevoir des onduleurs de traction plus compacts, d'améliorer l'autonomie par charge et de dimensionner correctement les batteries coûteuses des véhicules électriques. Ils ouvrent également de nouvelles perspectives pour le carbure de silicium (SiC) en remplaçant les relais mécaniques par des disjoncteurs statiques et définissent de nouvelles normes d'efficacité pour les infrastructures de recharge des véhicules électriques. Les avantages s'étendent bien au-delà du secteur automobile : les alimentations industrielles, par exemple, peuvent également tirer parti des performances de commutation exceptionnelles de la Gen 5.
Permettant une intensité de courant par unité de surface de SiC inégalée
Les systèmes basés sur la génération 5 peuvent atteindre le courant le plus élevé possible à haute température, comparativement aux MOSFET en carbure de silicium 5 x 5 mm concurrents. L'optimisation continue de la RDS(ON) par Wolfspeed répond à deux défis de conception majeurs :
Ce composant améliore significativement les pertes par conduction au niveau du système en réduisant la résistance de seuil (RSP) jusqu'à 27 % par rapport aux solutions 1200 V concurrentes actuellement disponibles sur le marché. Le QEM50120-25D10 (1200 V) atteint une RSP de 3,4 mΩ·cm² à 175 °C, tandis que le QEM50075-025D10 (750 V) atteint une RSP de 2,0 mΩ·cm² à 175 °C.
Il réduit les exigences de marge de conception au niveau du système grâce à une distribution de RDS(ON) ultra-faible de ± 18 % pour les deux nœuds de tension.
Des conceptions de conduite qui dureront
La technologie Wolfspeed Gen 5 intègre la même diode à corps souple que la Gen 4, mais offre une température de jonction améliorée de 200 °C en continu (215 °C avec une durée de vie limitée), témoignant ainsi de l'engagement de Wolfspeed à aider ses clients à concevoir des systèmes véritablement durables. Grâce à la diode à corps souple, les MOSFET atteignent une RDS(ON) de référence tout en conservant une excellente énergie de commutation ; les pertes de commutation globales sont également réduites grâce à une amélioration de la charge de récupération inverse.
Conçu sur une plateforme commercialement mature
La Gen 5 offre aux clients une voie directe et à faible risque, de l'intégration de la conception à la production en série, sans impacter la capacité de production du secteur automobile, malgré la demande croissante en intelligence artificielle.
Il s'agit de la technologie MOSFET de deuxième génération de Wolfspeed, conçue, fabriquée et certifiée dans son usine de fabrication de dispositifs 200 mm, située dans la vallée de Mohawk, dans l'État de New York. Le lancement de nouveaux produits (NPI), l'échantillonnage et la validation client seront réalisés avec des composants de production 200 mm. De plus, aucun nouvel outillage de fabrication n'est requis pour la production en série.
Disponibilité et ressources
Des échantillons des modèles QEM50120-025D10 et QEM50075-025D10 sont disponibles pour certains clients auprès des représentants commerciaux de Wolfspeed. De nouveaux produits, d'une tension de 750 V à 1 200 V, devraient être lancés tout au long de l'année 2026 et jusqu'au début de l'année 2027, en fonction de la demande du marché et des besoins des clients.
