Bien qu'il existe de nombreux types de diodes, les diodes Schottky à haut rendement sont de plus en plus utilisées dans une grande variété d'applications. Plus précisément, les diodes Schottky à structure Trench-MOS, qui présentent une tension directe (VF) inférieure à celle des diodes planaires, permettent un meilleur rendement dans les applications de redressement. Cependant, l'un des inconvénients des structures Trench-MOS est leur temps de réponse (trr) généralement plus long que celui des topologies planaires, ce qui entraîne des pertes de puissance plus importantes lors de la commutation.
En réponse, ROHM a développé une nouvelle série qui utilise une structure Trench-MOS brevetée qui réduit simultanément le VF et l'IR (qui sont dans une relation de compensation) tout en atteignant un trr de pointe.
La série YQ est la première de ROHM à adopter une structure Trench-MOS, venant compléter les quatre gammes de diodes Schottky conventionnelles existantes, optimisées pour répondre à une grande variété d'exigences. Sa conception brevetée atteint un temps de rémanence (trr) de seulement 15 ns, une performance de pointe, réduisant ainsi les pertes trr d'environ 37 % et les pertes de commutation globales d'environ 26 % par rapport aux diodes Trench-MOS classiques. Il en résulte une consommation d'énergie réduite. Cette nouvelle structure améliore également les pertes VF et IR par rapport aux diodes Schottky planaires conventionnelles. Ceci permet de réduire les pertes de puissance dans les applications polarisées en direct, telles que le redressement, tout en limitant le risque d'emballement thermique, un problème majeur des diodes Schottky. De ce fait, elles sont idéales pour les assemblages nécessitant une commutation rapide, comme les circuits de commande des phares LED automobiles et les convertisseurs DC-DC des véhicules électriques, qui ont tendance à générer de la chaleur.
À l'avenir, ROHM s'efforcera d'améliorer encore la qualité de ses dispositifs semi-conducteurs, de la basse à la haute tension, tout en continuant à renforcer sa large gamme afin de réduire davantage la consommation d'énergie et de parvenir à une plus grande miniaturisation.
Structure SBD Trench-MOS :
La structure Trench-MOS est créée en formant une tranchée de polysilicium dans la couche épitaxiale de la plaquette afin d'atténuer la concentration du champ électrique. Ceci réduit la résistance de la couche épitaxiale et, par conséquent, la tension directe (VF) lorsqu'une tension directe est appliquée. Simultanément, en polarisation inverse, la concentration du champ électrique est minimisée, ce qui réduit considérablement la résistance d'inertie (IR). Ainsi, la série YQ améliore la VF et l'IR d'environ 7 % et 82 %, respectivement, par rapport aux produits conventionnels.
Contrairement aux structures MOS à tranchée classiques, dont le temps de réponse (trr) est supérieur à celui des structures planaires en raison d'une capacité parasite plus élevée (composante résistive du composant), la série YQ atteint un trr de 15 ns, une performance inégalée sur le marché, grâce à une conception structurelle unique. Ceci réduit les pertes de commutation d'environ 26 % et contribue à une consommation d'énergie moindre dans les applications.
Exemples d'applications
: • Phares à LED pour applications automobiles
• Convertisseurs CC-CC pour véhicules électriques
• Alimentations pour équipements industriels
• Éclairage
Gamme
Page produit et informations associées :
Des notes d’application mettant en avant les avantages de ces nouveaux produits dans les circuits, ainsi qu’un livre blanc détaillant les caractéristiques de chaque série de diodes Schottky, sont disponibles sur le site web de ROHM. Une page dédiée aux diodes Schottky est également disponible, permettant aux utilisateurs de filtrer les options de produits en saisissant les conditions de tension et d’autres paramètres, simplifiant ainsi le processus de sélection lors de la conception. Cliquez sur les URL suivantes pour plus d’informations.
Page produit ROHM SBD
: https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes
Notes d'application
: Avantages de la série YQ : Diodes Schottky compactes et à haut rendement pour la conversion de puissance automobile
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf
Livre blanc :
La gamme de diodes Schottky de ROHM contribue à une miniaturisation accrue et à la réduction des pertes dans les équipements des secteurs automobile, industriel et grand public
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf
