pour la commande de moteurs CC à balais et la commutation de charges sur les lignes électriques dans les équipements de commande grand public et industriels.

Il utilise le procédé UMOSVIIH de Toshiba pour le MOSFET à canal N et le procédé UMOSVI pour le MOSFET à canal P. Il est proposé en boîtier TSOP6F compact (2,9 mm × 2,8 mm × 0,8 mm) avec des broches plates pour une efficacité d'assemblage accrue.

Ce composant atteint de faibles valeurs de résistance à l'état passant (RDS(ON)) de 46 mΩ (max.) (VGS = 10 V) pour le MOSFET à canal N et de 45 mΩ (max.) (VGS = -10 V) pour le MOSFET à canal P. Grâce à des valeurs de RDS(ON) pratiquement identiques, les pertes par conduction sont bien équilibrées, ce qui simplifie le développement des circuits pour les concepteurs. De plus, l'intégration des deux types de MOSFET dans un seul boîtier permet de réduire l'encombrement sur le circuit imprimé, le nombre de composants et le coût de la nomenclature.

Avec le lancement du SSM6L826R, Toshiba enrichit sa gamme de MOSFET doubles TSOP6F, qui comprend désormais trois MOSFET doubles à canal N, un MOSFET double à canal P et deux MOSFET complémentaires (N+P), offrant ainsi aux ingénieurs une plus grande flexibilité dans le choix du composant optimal pour leurs conceptions.

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