Les premiers dispositifs à utiliser la technologie Bizen appartiennent à la famille des transistors à jonction quantique (QJT). Cette famille comprendra trois composants de puissance, disponibles en boîtiers TO247 ou TO263, offrant des tensions nominales de 1 200 V/75 A, 900 V/75 A et 650 V/32 A. Point essentiel, ces composants peuvent être fabriqués sur des substrats de silicium standard, sur des lignes de production de silicium conventionnelles de grande géométrie.
Comme l'explique David Summerland, PDG et fondateur de Search For The Next (SFN), entreprise basée à Nottingham et inventeur de la technologie Bizen : « Pour atteindre ce niveau de performance avec des MOSFET traditionnels à base de silicium, la taille du composant doit être considérablement augmentée. On peut obtenir 1 200 V/75 A dans un boîtier TO247 en utilisant des matériaux à large bande interdite comme le carbure de silicium (SiC), mais cette approche présente d'autres inconvénients bien connus. Le SiC, par exemple, est beaucoup plus long à fabriquer et son empreinte carbone est importante. De plus, quelles que soient les prévisions, le SiC ne se miniaturise pas comme le silicium, et l'argument économique selon lequel le SiC peut égaler le silicium ne tient pas compte des progrès rendus possibles par la technologie Bizen. Au contraire, les données que nous avons obtenues grâce à des tests physiques sur plaquettes démontrent qu'en utilisant la technologie Bizen sur des substrats de silicium, nos transistors QJT offrent les mêmes performances que ceux en SiC ou en GaN. Cependant, l'équipement de production nécessaire à la fabrication d'un QJT est exactement le même que celui d'un MOSFET en silicium standard, et le procédé Bizen n'ajoute aucune complexité de fabrication supplémentaire. ».
Bizen applique la mécanique quantique à un procédé de fabrication de plaquettes bipolaires traditionnel. Il en résulte un dispositif extrêmement robuste et fiable, bénéficiant de l'héritage et de la fiabilité de la technologie silicium bipolaire classique. Bizen réduit également le délai d'intégration MOS, habituellement de 15 semaines, pour la création de CMOS intégrés à grande échelle à moins de deux semaines, et divise par deux le nombre de couches de traitement ; les nouveaux transistors QJT utilisent ces mêmes huit couches et le même procédé de fabrication de plaquettes.
Les tests sur plaquettes montrent également que le procédé Bizen présente un gain de courant effectif supérieur à 1 million. Ceci permettra une connexion directe entre le transistor de puissance QJT 1200 V/75 A et un port de sortie CPU basse tension et faible courant, tel qu'un port PWM. Summerland conclut : « Le QJT est le premier composant de puissance de la gamme Bizen. Il précédera bientôt le PJT (Transistor à Jonction Processeur), un composant Bizen intégrant son propre processeur et pouvant être produit en huit jours seulement, inaugurant ainsi une nouvelle ère pour les dispositifs de puissance intelligents. ».
SFN a également publié d'autres indicateurs de performance comparatifs pour un composant 1200 V/100 A, également en boîtier TO247, qui figure dans sa feuille de route à court terme. Les pertes au courant nominal seront quatre fois inférieures (< 300 mV) à celles du composant SiC, et sa capacité d'entrée sera également quatre à cinq fois plus faible (< 1 pF).
