Le nouveau MOSFET de puissance TW070J120B est basé sur le SiC, un matériau innovant à large bande interdite qui permet aux dispositifs de fonctionner à haute tension, avec des vitesses de commutation élevées et une faible résistance à l'état passant, comparativement aux MOSFET et IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) conventionnels à base de silicium. De ce fait, ce nouveau MOSFET contribue significativement à la réduction de la consommation d'énergie et à l'amélioration de la densité de puissance, ouvrant ainsi de nouvelles perspectives pour la miniaturisation des systèmes.
 
Fabriqué selon la conception de puce de deuxième génération de Toshiba[1], ce nouveau MOSFET en SiC offre une fiabilité accrue. De plus, le TW070J120B présente une faible capacité d'entrée (CISS) de 1 680 pF (typ.), une faible charge d'entrée de grille (Qg) de 67 nC (typ.) et une résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) de seulement 70 mΩ (typ.).
 
Comparé à un IGBT en silicium 1200 V comme le GT40QR21 de Toshiba, ce nouveau composant réduit les pertes de commutation d'environ 80 % et le temps de commutation (temps de chute) de près de 70 %, tout en offrant une faible tension directe et un courant de drain (ID) pouvant atteindre 20 A.
 
La tension de seuil de grille (Vth) élevée (entre 4,2 V et 5,8 V) minimise les risques de commutations parasites. L'intégration d'une diode Schottky en SiC (SBD) avec une faible tension directe (VDSF) de seulement -1,35 V (typ.) contribue également à la réduction des pertes.
 
Le nouveau MOSFET TW070J120B, proposé en boîtier TO-3P(N), permettra de concevoir des solutions de puissance plus efficaces, notamment pour les applications industrielles où une densité de puissance accrue contribuera également à réduire la taille et le poids des équipements.

Pour plus d'informations ou un devis