Grâce au procédé épitaxial avancé de Toshiba, la nouvelle série DTMOS IV-H de MOSFET à superjonction est idéale pour les applications exigeant une fiabilité élevée, une efficacité énergétique optimale et une conception compacte. Elle convient aux alimentations à découpage haute efficacité pour serveurs et stations de base de télécommunications, ainsi qu'aux conditionneurs de puissance pour onduleurs photovoltaïques.
 
Cette nouvelle série offre des performances de commutation à haute vitesse tout en conservant la faible résistance à l'état passant des DTMOS IV conventionnels, et ce, sans perte de puissance. Ce résultat est obtenu grâce à une capacité parasite grille-drain réduite (Ciss typique de 3 000 à 6 500 pF), contribuant ainsi à une meilleure efficacité énergétique et à une réduction de la taille du produit.
 
L'optimisation du motif de grille permet une réduction de 45 % de la charge grille-drain (Qg typique de 65 à 135 nC) par rapport aux DTMOS IV conventionnels. La nouvelle gamme de produits se caractérise par une faible résistance à l'état passant (RDS(ON) MAX à VGS=10V comprise entre 0,088 et 0,040 Ω). Grâce au procédé de fabrication épitaxial, la résistance à l'état passant n'augmente que légèrement à haute température. Le courant consommé varie de 6,8 à 30,8 A.
 
La nouvelle série DTMOS IV-H est actuellement disponible en boîtier T0-247. D'autres options de boîtier, notamment DFN 8x8 mm, T0-220 et T0-220SIS, seront bientôt disponibles.

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