notamment dans les secteurs des équipements industriels et des systèmes automobiles. Pour ce lancement, la fabrication des boîtiers a été sous-traitée à ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (ci-après dénommée ATX), un fournisseur OSAT (assemblage et test de semi-conducteurs sous-traités) expérimenté.
Améliorer l'efficacité des moteurs et des alimentations électriques, qui représentent la majeure partie de la consommation mondiale d'électricité, est devenu un enjeu majeur pour parvenir à une société décarbonée. Les composants de puissance étant essentiels à l'amélioration de cette efficacité, l'adoption de nouveaux matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) devrait permettre d'accroître encore davantage le rendement des alimentations électriques.
ROHM a lancé la production en série de ses transistors HEMT GaN 650 V de première génération en avril 2023, puis a commercialisé des circuits intégrés d'étage de puissance intégrant un circuit de commande de grille et un transistor HEMT GaN 650 V dans un seul boîtier. Cette fois-ci, ROHM a perfectionné le produit en intégrant des composants de deuxième génération dans un boîtier TOLL et en l'ajoutant au boîtier DFN8080 existant afin de renforcer sa gamme de transistors HEMT GaN 650 V et de répondre ainsi à la demande du marché pour des applications haute puissance encore plus compactes et performantes.
Ces nouveaux produits intègrent des puces GaN-Si de deuxième génération dans un boîtier TOLL, atteignant des valeurs de pointe pour la métrique de performance qui corrèle la résistance à l'état passant et la charge de sortie (RDS(on) × Qoss). Ceci contribue à une miniaturisation accrue et à une meilleure efficacité énergétique des systèmes d'alimentation nécessitant une tenue en tension élevée et une commutation à grande vitesse.
Pour parvenir à une production de masse, ROHM a mis à profit sa technologie propriétaire et son expertise en conception de dispositifs, développées grâce à un système de production verticalement intégré, pour mener à bien la conception et la planification. Dans le cadre de la collaboration annoncée le 10 décembre 2024, les processus de fabrication en amont sont assurés par Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), tandis que les processus de fabrication en aval sont gérés par ATX. Par ailleurs, ROHM prévoit de s'associer à ATX pour produire des dispositifs GaN de qualité automobile.
Face à l'adoption croissante des dispositifs GaN dans le secteur automobile, qui devrait s'accélérer encore en 2026, ROHM prévoit d'assurer l'introduction rapide de dispositifs GaN de qualité automobile en renforçant ces partenariats, en plus de poursuivre ses propres efforts de développement.
Liao Hongchang, conseiller et directeur général d' ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD., a déclaré :
« Nous sommes ravis que ROHM, entreprise de renommée internationale dotée de technologies de fabrication de pointe et de ses propres installations de production, couvrant l'ensemble du processus, de la fabrication des plaquettes à l'encapsulation, nous ait confié la production. Nos échanges techniques avec ROHM ont débuté en 2017 et nous explorons actuellement les possibilités d'une collaboration plus étroite. Ce partenariat a été rendu possible grâce à l'expérience et à l'expertise technique d'ATX dans la fabrication de composants GaN. À l'avenir, nous prévoyons également de collaborer avec ROHM au développement de composants GaN destinés au secteur automobile. En renforçant notre partenariat, nous souhaitons contribuer aux économies d'énergie dans divers secteurs et participer à la construction d'une société durable. »
Satoshi Fujitani, directeur général du site de production AP chez ROHM Co., Ltd., déclare
: « Nous sommes ravis d’avoir réussi à produire les transistors HEMT GaN 650 V en boîtier TOLL, avec des performances optimales. ROHM propose non seulement des composants GaN autonomes, mais aussi des solutions d’alimentation les intégrant à des circuits intégrés, tirant parti de son expertise en technologie analogique. Le savoir-faire et la philosophie développés pour la conception de ces produits sont également mis à profit pour le développement des dispositifs. La collaboration avec des fournisseurs OSAT comme ATX, qui possède des capacités techniques exceptionnellement avancées, nous permet de conserver notre avance sur le marché du GaN en pleine expansion, tout en exploitant les atouts de ROHM pour commercialiser des dispositifs innovants. À l’avenir, nous continuerons d’améliorer les performances des dispositifs GaN afin de favoriser leur miniaturisation et leur efficacité dans une grande variété d’applications, contribuant ainsi à améliorer le quotidien. »
EcoGaN™
est la nouvelle gamme de dispositifs GaN de ROHM qui contribue aux économies d'énergie et à la miniaturisation en optimisant les propriétés du GaN pour réduire la consommation d'énergie des applications, miniaturiser les composants périphériques et simplifier la conception en réduisant le nombre de pièces.
EcoGaN™ est une marque commerciale ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd.
Gamme de produits
Exemples d'applications :
alimentation pour serveurs, stations de base de communication, équipements industriels, etc.
Adaptateurs secteur (chargeurs USB), onduleurs photovoltaïques, systèmes de stockage d'énergie (SAE).
Ils s'intègrent à une large gamme de systèmes d'alimentation d'une puissance de sortie de 500 W à 1 kW.
