Le nouveau commutateur RF SPDT haute puissance de Toshiba (TCWA1225G) offre une puissance d'entrée de crête de 46 dBm (à 8 dB PAR). Ce résultat a été obtenu grâce à l'adoption du procédé CMOS exclusif de Toshiba et à l'optimisation du circuit de commutation interne. Le procédé CMOS réduit également les pertes d'insertion, préservant ainsi la puissance d'émission et la sensibilité du récepteur. De ce fait, les pertes d'insertion du TCWA1225G sont de 0,6 dB (typ. à 5 GHz), soit environ 10 % inférieures à celles des produits concurrents.

La tension de fonctionnement nominale est de 3,3 V et la consommation d'énergie de seulement 50 µA. Ce nouveau composant peut fonctionner à des températures ambiantes allant de -40 °C à +95 °C.

Le TCWA1225G est intégré dans un boîtier WCSP (Wafer-level Chip Scale Package) ultra-compact de seulement 1,9 mm x 1,9 mm, soit 10 % plus petit que les autres composants. Tous les connecteurs importants, notamment les bornes RF, d'alimentation et de contrôle, sont situés en périphérie du dispositif afin de simplifier la conception du circuit imprimé.

Dans le cadre du déploiement de la 5G, les stations de base de télécommunications ont récemment intégré la technologie MIMO massive (entrées et sorties multiples) et de multiples antennes TX/RX pour offrir des services de radiocommunication ultrarapides et à très haute capacité.

Les antennes individuelles comportent de plus en plus de trajets de transmission de signal complexes nécessitant une commutation RF. Ceci impose de faibles pertes d'insertion et une puissance d'entrée élevée dans un format compact afin de maintenir, voire de réduire, la taille de l'antenne.

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